公开(公告)号：CN117452766A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310811505.5

申请日：2023-07-03

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

发明人： 金文子 ,  李承炫 ,  郑在善 ,  刘炳哲 ,  李炳勋 ,  丁昶荣 ,  金德铉 ,  曹德贤

IPC分类号： G03F1/62

摘要： 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。

公开(公告)号：CN110609435A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910504878.1

申请日：2019-06-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金文子 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/22

摘要： 公开用于光掩模的表膜及其制造方法。所述用于光掩模的表膜包括表膜膜片。所述表膜膜片包括具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的基础层、和覆盖所述基础层的所述第一表面的第一恢复层。在所述第一恢复层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量小于或等于在所述基础层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量。

公开(公告)号：CN114437651A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111240134.7

申请日：2021-10-25

申请人： 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

发明人： 金文子 ,  刘炳哲 ,  李海臣 ,  丁昶荣 ,  李允汉

IPC分类号： C09J129/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04 ,  G03F1/62

摘要： 提供了一种粘合剂组合物、用于制备该粘合剂组合物的方法、包括该粘合剂组合物的光刻版组件以及用于制造包括该粘合剂组合物的光刻版组件的方法。该粘合剂组合物包括包括单宁酸的多酚化合物、包括聚乙烯醇的聚合物以及包括水和醇的溶剂。

公开(公告)号：CN116893569A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310167932.4

申请日：2023-02-27

申请人： 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

发明人： 金文子 ,  刘址范 ,  南基捧 ,  呂振浩 ,  丁昶荣 ,  胡启诚

IPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/64 ,  G03F1/68

摘要： 一种制造薄膜结构的方法，包括：在临时衬底上形成金属层；在金属层上形成隔膜；通过将临时衬底与金属层分离来暴露金属层的底表面；以及通过蚀刻金属层的暴露的底表面来暴露隔膜的底表面。

公开(公告)号：CN110643308A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910478848.8

申请日：2019-06-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金文子 ,  丁昶荣

IPC分类号： C09J129/04 ,  C09J179/02 ,  C09J11/06 ,  G03F1/48

摘要： 提供一种用于护膜的粘合剂、用于光掩模的护膜和制造该护膜的方法。所述粘合剂包括：酚化合物，所述酚化合物具有至少两个羟基；聚合物，具有羟基或胺基；以及水。

公开(公告)号：CN117250824A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310215581.X

申请日：2023-03-07

申请人： 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

发明人： 金文子 ,  南基捧 ,  吕振浩 ,  刘炳哲 ,  刘址范 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  H01L21/033

摘要： 提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。

公开(公告)号：CN116329193A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211663432.1

申请日：2022-12-23

申请人： 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校ERICA产学协力团

发明人： 李炳勋 ,  朴真求 ,  金兑坤 ,  朴相昱 ,  丁昶荣 ,  安镇浩

IPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/02 ,  B08B7/04 ,  B08B13/00

摘要： 实施方式涉及保护膜清洁装置和使用其的保护膜清洁方法。该保护膜清洁装置包括：支撑保护膜的平台；在平台之上的颗粒去除器，颗粒去除器被配置为从保护膜的第一表面去除颗粒，并且颗粒去除器包括悬臂和在悬臂的底表面上的粘合材料；以及与平台相邻的压力控制器，压力控制器被配置为控制保护膜的第二表面上的流体的压力。

公开(公告)号：CN113805427A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110660102.6

申请日：2021-06-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐焕锡 ,  金成洙 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F7/20

摘要： 一种用于极紫外光刻的相移掩模，其包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。

公开(公告)号：CN110119064A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910066838.3

申请日：2019-01-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 文勇升 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/48

摘要： 本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

公开(公告)号：CN110643308B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201910478848.8

申请日：2019-06-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金文子 ,  丁昶荣

IPC分类号： C09J129/04 ,  C09J179/02 ,  C09J11/06 ,  G03F1/48

摘要： 提供一种用于护膜的粘合剂、用于光掩模的护膜和制造该护膜的方法。所述粘合剂包括：酚化合物，所述酚化合物具有至少两个羟基；聚合物，具有羟基或胺基；以及水。