公开(公告)号：CN114437651A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111240134.7

申请日：2021-10-25

申请人： 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

发明人： 金文子 ,  刘炳哲 ,  李海臣 ,  丁昶荣 ,  李允汉

IPC分类号： C09J129/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04 ,  G03F1/62

摘要： 提供了一种粘合剂组合物、用于制备该粘合剂组合物的方法、包括该粘合剂组合物的光刻版组件以及用于制造包括该粘合剂组合物的光刻版组件的方法。该粘合剂组合物包括包括单宁酸的多酚化合物、包括聚乙烯醇的聚合物以及包括水和醇的溶剂。

公开(公告)号：CN117250824A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310215581.X

申请日：2023-03-07

申请人： 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

发明人： 金文子 ,  南基捧 ,  吕振浩 ,  刘炳哲 ,  刘址范 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  H01L21/033

摘要： 提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。

公开(公告)号：CN110609435A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910504878.1

申请日：2019-06-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金文子 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/22

摘要： 公开用于光掩模的表膜及其制造方法。所述用于光掩模的表膜包括表膜膜片。所述表膜膜片包括具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的基础层、和覆盖所述基础层的所述第一表面的第一恢复层。在所述第一恢复层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量小于或等于在所述基础层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量。

公开(公告)号：CN117452766A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310811505.5

申请日：2023-07-03

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

发明人： 金文子 ,  李承炫 ,  郑在善 ,  刘炳哲 ,  李炳勋 ,  丁昶荣 ,  金德铉 ,  曹德贤

IPC分类号： G03F1/62

摘要： 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。

公开(公告)号：CN116893569A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310167932.4

申请日：2023-02-27

申请人： 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

发明人： 金文子 ,  刘址范 ,  南基捧 ,  呂振浩 ,  丁昶荣 ,  胡启诚

IPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/64 ,  G03F1/68

摘要： 一种制造薄膜结构的方法，包括：在临时衬底上形成金属层；在金属层上形成隔膜；通过将临时衬底与金属层分离来暴露金属层的底表面；以及通过蚀刻金属层的暴露的底表面来暴露隔膜的底表面。

公开(公告)号：CN110643308A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910478848.8

申请日：2019-06-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金文子 ,  丁昶荣

IPC分类号： C09J129/04 ,  C09J179/02 ,  C09J11/06 ,  G03F1/48

摘要： 提供一种用于护膜的粘合剂、用于光掩模的护膜和制造该护膜的方法。所述粘合剂包括：酚化合物，所述酚化合物具有至少两个羟基；聚合物，具有羟基或胺基；以及水。

公开(公告)号：CN106154766A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN110643308B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201910478848.8

申请日：2019-06-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金文子 ,  丁昶荣

IPC分类号： C09J129/04 ,  C09J179/02 ,  C09J11/06 ,  G03F1/48

摘要： 提供一种用于护膜的粘合剂、用于光掩模的护膜和制造该护膜的方法。所述粘合剂包括：酚化合物，所述酚化合物具有至少两个羟基；聚合物，具有羟基或胺基；以及水。

公开(公告)号：CN108663898B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

摘要： 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。

公开(公告)号：CN106154766B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。