发光器件和包括其的电子设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118284093A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311839416.8

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: H10K50/12 H10K101/30

    摘要: 发光器件和包括其的电子设备。发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及布置在第一电极和第二电极之间的中间层,中间层包括第一发射层和第二发射层,第一发射层包括能够发射第一光的第一掺杂剂和第一主体,第一主体包括m1种主体,m1为1或更大的整数,和当m1为2或更大时,两种或更多种主体存在于第一发射层中且彼此不同,第二发射层包括能够发射第二光的第二掺杂剂和第二主体,第二主体包括m2种主体,m2为1或更大的整数,和当m2为2或更大时,两种或更多种主体存在于第二发射层中且彼此不同,第一掺杂剂包括第一过渡金属,第二掺杂剂包括不同于第一过渡金属的第二过渡金属,并且满足表达式1和表达式2并且其提供于本说明书中。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN118248650A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202310952826.7

    申请日:2023-07-31

    摘要: 提供了一种半导体装置。根据公开的半导体装置包括:基底,包括彼此相对且其间具有一定厚度的第一侧和第二侧;第一布线,设置在基底的第一侧上;第一虚设布线,设置在基底的第一侧上并与第一布线间隔开;第二布线,设置在基底的第二侧上;第二虚设布线,设置在基底的第二侧上并与第二布线间隔开;贯穿过孔,穿过基底并连接第一布线和第二布线;以及多个虚设贯穿过孔,穿过基底,其中,多个虚设贯穿过孔从第一布线和第二布线横向偏移并与第一布线和第二布线物理地分离,其中,多个虚设贯穿过孔中的至少一个虚设贯穿过孔的中心从第一虚设布线和第二虚设布线中的至少一条虚设布线的边缘横向偏移。

    发光器件和包括其的电子设备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114520299A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202111390463.X

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54

    摘要: 提供发光器件和包括其的电子设备,所述发光器件包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层包括i)第一发射层以及ii)位于所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层,所述第一发射层与所述第二发射层直接接触,所述第一发射层包括掺杂剂、第一空穴传输化合物、和第一化合物,所述第二发射层包括掺杂剂、第二空穴传输化合物、和第二化合物,包括在所述第一发射层中的掺杂剂和包括在所述第二发射层中的掺杂剂彼此相同,所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同,并且在所述第二空穴传输化合物的HOMO能级和所述第二化合物的HOMO能级之间的差的绝对值为约0.3eV或更小。