公开(公告)号：CN101373792A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810212607.0

申请日：2008-08-21

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、一种具有该TFT的有机发光二极管显示装置及其制造方法。该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区。

公开(公告)号：CN100379025C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410092219.5

申请日：2004-11-03

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 金勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78675

摘要： 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间的第二晶粒，所述第二晶粒具有不同于所述第一晶粒的晶体特性，并通过固相结晶法形成。薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上沉积非晶硅并对沉积的非晶硅构图以形成半导体层；在所述半导体层的多个区域上沉积诱导结晶金属层；对衬底上沉积所述诱导结晶金属层的地方进行第一热处理，在所述半导体层中形成金属诱导横向结晶区；和在衬底上形成所述金属诱导横向结晶区的地方以高于所述第一热处理的温度进行第二热处理。

公开(公告)号：CN1716633A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN101335302A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

摘要： 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面150以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101330004A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128532.8

申请日：2008-06-19

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李吉远

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02694 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明提供制造多晶硅(poly－Si)层的方法，包括：提供基板，在该基板上形成非晶硅(a－Si)层，在该非晶硅层上形成厚度约为10至50的热氧化层，以及将该基板退火以采用金属催化剂层的金属催化剂将非晶硅层晶化为多晶硅层。因此，该非晶硅层可以通过超晶粒硅(SGS)晶化方法晶化为多晶硅层。而且，该热氧化层可以在非晶硅层的脱氢期间形成，从而可以省略SGS晶化方法所需的形成盖层的附加工艺，由此简化了制造工艺。本发明还涉及薄膜晶体管、其制造方法以及有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：CN101211985A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710306610.4

申请日：2007-12-28

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281

摘要： 本发明提供了一种通过减少留在半导体层中的晶化诱导金属的量而能够改进电学特性和漏电流特性的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置。本发明的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基底上形成第一非晶硅层；通过利用晶化诱导金属使第一非晶硅层晶化为第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成第二非晶硅层；向第二非晶硅层中注入杂质；将第一多晶硅层和第二非晶硅层退火。第一多晶硅层中的晶化诱导金属被转移到第二非晶硅层中，第二非晶硅层被晶化为第二多晶硅层。

公开(公告)号：CN1983570A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166981.2

申请日：2006-12-13

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  C30B29/06

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

摘要： 提供了一种多晶硅层、采用所述多晶硅层的平板显示器和制造所述多晶硅层的方法。在基板上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成第一图案层、第二图案层和金属催化剂层。形成第一图案层和第二图案层以界定一个至少400μm2的区域，金属催化剂层的金属催化剂在所述区域内扩散到非晶硅层内。通过扩散的金属催化剂使晶种区结晶。在结晶区从晶种区生长之后，在结晶区上形成半导体层，从而制造具有良好特性的薄膜晶体管。采用其制造平板显示器。

公开(公告)号：CN1738011A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200410075870.1

申请日：2004-12-31

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757

摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法，包括在衬底上形成非晶硅层的步骤，在非晶硅层上形成帽盖层的步骤，在帽盖层上形成金属催化剂层的步骤，在金属催化剂层上经选择性辐照激光束扩散金属催化剂的步骤，晶化非晶硅层的步骤。本发明具有如下优点：提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其中该薄膜晶体管的制造方法通过利用选择性辐照激光束均匀控制低浓度催化剂的扩散以及利用超晶粒硅(super grain silicon)方法在非晶硅层晶化过程中控制晶粒尺寸和晶体生长位置和方向，从而改进了器件的性能并获得了器件的均匀性。

公开(公告)号：CN1725512A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510082116.5

申请日：2005-06-29

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1277

摘要： 一种半导体器件中的薄膜晶体管的半导体层和电容器的第一电极是由非晶硅形成的，而且半导体层的源/漏极区的整个部分或一部分和电容器的第一电极是通过金属诱导晶化方法晶化的，半导体层的沟道区是通过金属诱导横向晶化方法晶化的。

公开(公告)号：CN100411194C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/78675 ,  H01L29/42384

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。