公开(公告)号：CN105431936A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480026992.3

申请日：2014-03-14

Applicant: 太阳能爱迪生半导体有限公司

Inventor： Q·刘 ,  J·L·利伯特

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 公开了用于减小绝缘体上半导体结构的光点缺陷的方法以及用于减少绝缘体上半导体结构的表面粗糙度的方法。该方法可包括热退火结构跟随有非接触平滑工艺的组合的方法。

公开(公告)号：CN102592977B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210057692.4

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN101728311B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910204676.1

申请日：2009-10-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 泷泽律夫

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及SOI衬底与固态图像拾取器件及制造方法及图像拾取设备。一种SOI衬底包括硅衬底、设置在该硅衬底上的硅氧化物层、设置在该硅氧化物层上的硅层、设置在该硅衬底中的收集层以及由设置在该硅氧化物层中的杂质掺杂区域形成的损伤层。

公开(公告)号：CN102637699A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN102592977A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210057692.4

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN101114574B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200710136924.4

申请日：2007-07-23

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 池田安伸 ,  富田真一 ,  宫原浩幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256

Abstract: 通过以粘贴前的晶片表面上存在有机物的状态进行粘贴，并以粘贴界面上封闭有所述有机物的状态进行粘接强化热处理，制成粘贴界面上形成有结晶缺陷的粘贴SOI晶片，由此可以使SOI层和绝缘体层(氧化膜)的界面上形成简单且廉价的吸杂源。另外，通过该方法制造的本发明的粘贴SOI晶片，可以有效地去除对元器件特性和氧化膜耐压特性造成不良影响的重金属杂质。所以，本发明的制造方法及本发明的粘贴SOI晶片，作为具有优良元器件特性的SOI晶片或其制造方法得到广泛应用。

公开(公告)号：CN100444407C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510067218.X

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN101202300A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200810003150.2

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN100373620C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN02105264.6

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN1324664C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN02828722.3

申请日：2002-10-21

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： J·L·利伯特 ,  M·J·宾斯 ,  R·J·法尔斯特

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L21/3226

Abstract: 本发明针对一种单晶直拉型硅片，以及一种用于制备该硅片的方法，该硅片内具有一非均匀的晶格空位分布，而峰值浓度存在于硅片的一假想的中心平面和一表面之间的硅片体中，从而在进行基本上任何电子器件制造过程的热处理周期后，该硅片在硅片体中形成氧沉淀，并在硅片表面附近形成一薄的或浅的无沉淀区。