公开(公告)号：CN102403653A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110281381.1

申请日：2011-09-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山真吾 ,  祐川博至

IPC: H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：包含活性层且具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层、和射出侧谐振器面的表面上的端面覆盖膜。端面覆盖膜包含：控制射出侧谐振器面的反射率的第一电介质层和第二电介质层，在活性层发出的激光波长为λ、第二电介质层的折射率为n的情况下，第二电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且，大于第一电介质层的厚度，为1μm以上。

公开(公告)号：CN102403652A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110281377.5

申请日：2011-09-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山真吾 ,  祐川博至

IPC: H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置，该半导体激光元件具备：包括活性层，具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层；和在射出侧谐振器面的表面上的端面涂覆膜。端面涂覆膜包括：配置于端面涂覆膜最表面的光催化剂层；和配置于光催化剂层与射出侧谐振器面之间的电介质层，在活性层发出的激光的波长为λ，电介质层的折射率为n的情况下，电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且为1μm以上。