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公开(公告)号：CN1591045A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068303.3
申请日：2004-08-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B5/1833 , G02B5/1852 , G02B5/1857 , G02B5/1871
Abstract: 本发明提供一种在宽波长区域中能得到良好相位变换特性的波长板。该波长板备有具有线状格子沟槽图案的氧化铝膜。而且，将格子沟槽图案的周期L和占空比De设定为由以下的4个式所规定的第一范围内的值：L≤0.65；L≥2×10－14e31.263De；L≤6.0317De2－10.352De+5.0516；(De－0.85)2/0.442+(L－0.41)2/0.392≤1。
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公开(公告)号：CN101741013A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910222885.9
申请日：2009-11-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 龟山真吾
Abstract: 本发明提供氮化物类半导体激光元件和光拾取装置。氮化物类半导体激光元件具备端面覆盖膜，该端面覆盖膜包括形成于氮化物类半导体层的光反射侧端面上的变质防止层、和形成于变质防止层上的反射率控制层。而且，反射率控制层由交替地层叠的高折射率层和低折射率层构成，变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别利用由氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成。另外，变质防止层具有与光反射侧端面相接的由氮化物构成的第一层，构成变质防止层的各层的厚度小于高折射率层的厚度，并且小于低折射率层的厚度。
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公开(公告)号：CN101884148B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200980101177.8
申请日：2009-02-09
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063
Abstract: 一种能够提高激光元件的可靠性的半导体激光元件。上述半导体激光元件(1000)具备：具有发光层(25)的半导体元件层(20)；在半导体元件层的包含发光层的区域的光射出侧的端部形成的第一共振器端面(1)；在第一共振器端面上，从第一共振器端面侧开始依次形成第一氮化膜(41)、含有第一氧化膜(42)的第一中间膜和第二氮化膜(43)而成的第一绝缘膜(40)；在第一绝缘膜上形成的含有第二氧化膜(51)的第二绝缘膜(51)。
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公开(公告)号：CN102403652A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110281377.5
申请日：2011-09-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/02216 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置，该半导体激光元件具备：包括活性层，具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层；和在射出侧谐振器面的表面上的端面涂覆膜。端面涂覆膜包括：配置于端面涂覆膜最表面的光催化剂层；和配置于光催化剂层与射出侧谐振器面之间的电介质层，在活性层发出的激光的波长为λ，电介质层的折射率为n的情况下，电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且为1μm以上。
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公开(公告)号：CN101884148A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101177.8
申请日：2009-02-09
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063
Abstract: 一种能够提高激光元件的可靠性的半导体激光元件。上述半导体激光元件(1000)具备：具有发光层(25)的半导体元件层(20)；在半导体元件层的包含发光层的区域的光射出侧的端部形成的第一共振器端面(1)；在第一共振器端面上，从第一共振器端面侧开始依次形成第一氮化膜(41)、含有第一氧化膜(42)的第一中间膜和第二氮化膜(43)而成的第一绝缘膜(40)；在第一绝缘膜上形成的含有第二氧化膜(51)的第二绝缘膜(51)。
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公开(公告)号：CN102403653A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110281381.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：包含活性层且具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层、和射出侧谐振器面的表面上的端面覆盖膜。端面覆盖膜包含：控制射出侧谐振器面的反射率的第一电介质层和第二电介质层，在活性层发出的激光波长为λ、第二电介质层的折射率为n的情况下，第二电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且，大于第一电介质层的厚度，为1μm以上。
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公开(公告)号：CN1941439A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610141393.3
申请日：2006-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其设置有安装于基体的发光元件；含有能够吸收从发光元件发出的光、并发出与该吸收的光为不同波长的光的荧光体，与安装于基体的发光元件接触，且填充该基体、覆盖该发光元件的含有荧光体的透光性树脂部；以及在发光元件的正上方部分形成的、具有比含有荧光体的透光性树脂的荧光体浓度高的荧光体浓度的含有高浓度荧光体的树脂层。
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公开(公告)号：CN1534841A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号：CN1941439B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610141393.3
申请日：2006-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其设置有安装于基体的发光元件；含有能够吸收从发光元件发出的光、并发出与该吸收的光为不同波长的光的荧光体，与安装于基体的发光元件接触，且填充该基体、覆盖该发光元件的含有荧光体的透光性树脂部；以及在发光元件的正上方部分形成的、具有比含有荧光体的透光性树脂的荧光体浓度高的荧光体浓度的含有高浓度荧光体的树脂层。
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公开(公告)号：CN1534841B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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