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公开(公告)号：CN111699547A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012078.6
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 尾家俊行 , 普林安加·柏达那·普特拉 , 堀田明伸
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明涉及氧化铝保护液、氧化铝的保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的氧化铝保护液的特征在于，其含有0.0001～20质量％的碱土金属化合物，前述碱土金属为选自由铍、镁、锶和钡组成的组中的1种以上。通过本发明，在半导体电路的制造工序中，能够抑制氧化铝的腐蚀。
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公开(公告)号：CN105612200B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480055652.3
申请日：2014-10-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，可以提供包含多硫醇化合物以及聚环氧化合物和/或聚环硫化合物的光学材料用组合物，所述多硫醇化合物满足下述i)至iii)中的任一者：i)铵阳离子浓度为0.1～150μmol/kg；ii)硫氰酸根阴离子浓度为0.1～300μmol/kg；或iii)铵阳离子浓度为0.1～150μmol/kg，硫氰酸根阴离子浓度为0.1～300μmol/kg，进而铵阳离子与硫氰酸根阴离子的离子浓度积为0.01～15000(μmol/kg)2。
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公开(公告)号：CN107735428A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680035823.5
申请日：2016-06-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种光学材料用组合物，其是含有式(1)所示的环状化合物(a)、环硫化合物(b)及硫(c)的光学材料用组合物，该光学材料用组合物中的环状化合物(a)的比率处于5～70质量％的范围、环硫化合物(b)的比率处于20～90质量％的范围、及硫(c)的比率处于1～39质量％的范围。(式中，X表示S、Se或Te。a～f＝0～3、8≥(a+c+e)≥1、8≥(b+d+f)≥2、及(b+d+f)≥(a+c+e)。)本发明的光学材料用组合物具有作为光学特性的高折射率，并且具有充分的耐热性及良好的脱模性。
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公开(公告)号：CN110945631B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201880048233.5
申请日：2018-07-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 尾家俊行 , 普林安加·柏达那·普特拉 , 堀田明伸
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08
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公开(公告)号：CN107735428B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201680035823.5
申请日：2016-06-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种光学材料用组合物，其是含有环状化合物(a)、环硫化合物(b)及硫(c)的光学材料用组合物，该光学材料用组合物中的环状化合物(a)的比率处于5～70质量％的范围、环硫化合物(b)的比率处于20～90质量％的范围、及硫(c)的比率处于1～39质量％的范围。所述环状化合物(a)为选自由二硫杂环丙烷、1,2‑二硫杂环丁烷、1,3‑二硫杂环丁烷、三硫杂环丁烷、1,2,3‑三硫杂环戊烷、1,2,4‑三硫杂环戊烷、四硫杂环戊烷、1,2,3‑三硫杂环己烷、1,2,4‑三硫杂环己烷、1,2,3,4‑四硫杂环己烷、1,2,4,5‑四硫杂环己烷、五硫杂环己烷、1,2,3,4‑四硫杂环庚烷、1,2,3,5‑四硫杂环庚烷、1,2,4,5‑四硫杂环庚烷、1,2,4,6‑四硫杂环庚烷、1,2,3,4,5‑五硫杂环庚烷、1,2,3,4,6‑五硫杂环庚烷、1,2,3,5,6‑五硫杂环庚烷、六硫杂环庚烷、二硒杂环丁烷、三硒杂环丁烷、三硒杂环戊烷、四硒杂环戊烷、四硒杂环己烷、五硒杂环己烷、四硒杂环庚烷、五硒杂环庚烷、六硒杂环庚烷、二碲杂环丁烷、三碲杂环丁烷、三碲杂环戊烷、四碲杂环戊烷、四碲杂环己烷、五碲杂环己烷、四碲杂环庚烷、五碲杂环庚烷、及六碲杂环庚烷组成的组中的1种以上。本发明的光学材料用组合物具有作为光学特性的高折射率，并且具有充分的耐热性及良好的脱模性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112005345B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980027285.9
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/26 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(A)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸、和它们的盐中的1种以上的化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～50质量％的(B)除C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯和C4‑13烷基磷酸以外的酸或其盐。
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公开(公告)号：CN112005346B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980027331.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/14 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN112041970A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980027525.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：(A)组合物中的氟化物离子浓度达到0.05～30mmol/L的量的氟化物离子供给源；(B)组合物中的阳离子相对于氟化物离子的摩尔比达到0.3～20的量的阳离子供给源；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(C)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物，所述水性组合物的pH处于2～6的范围。
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公开(公告)号：CN108513679A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201780005986.3
申请日：2017-09-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物，所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1～50质量％、氧化剂(B)0.04～10质量％和水(D)，并且pH处于2.0～5.0的范围。而且，本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物，减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷，并且对于具有SiN层和Si层的基板，可以提高Si相对于SiN的去除选择性。
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公开(公告)号：CN112005346A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027331.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/14 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
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