半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113678230A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201980092932.4

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4),在显影时,通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2),而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5),从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩,从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后,将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8),残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。

    太阳能电池单元
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101088167A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200580017453.4

    申请日:2005-11-28

    CPC classification number: H01L31/022425 H01L31/0504 Y02E10/50

    Abstract: 通过具备光电变换层、在上述光电变换层的一个面一侧设置的第一电极、在上述光电变换层的另一个面一侧设置的第二电极以及在上述光电变换层的另一个面一侧在上述光电变换层的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠、同时将其角部作成圆角部、设置成大致四角形状并用于从上述第二电极取出输出的第三电极,得到有效地防止了与上述第二电极交叠地设置的上述第三电极的剥离的太阳能电池单元。

    半导体装置的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114902508B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202080091728.3

    申请日:2020-01-10

    Inventor: 中谷光德

    Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序:在InP基板(1)的表面设置脊部(4)的工序;以覆盖脊部的方式在InP基板的表面涂敷光致抗蚀剂(10)的工序;经由掩模(20)对光致抗蚀剂的对处于脊部的头部的电极接触部的一部分进行覆盖的区域进行曝光,并进行显影而形成抗蚀剂图案(11)的工序;以对在形成抗蚀剂图案时所产生的抗蚀剂图案的缺陷部进行覆盖的方式涂敷收缩材料(16)的工序;使残存于抗蚀剂图案的曝光后的界面中的酸(33)与收缩材料反应,而在缺陷部形成交联部(17)来进行修复的工序;以及在剥离未反应的收缩材料后,通过蚀刻加工除去从修复缺陷部后的抗蚀剂图案露出的电极接触部(5b)的工序,由此得到所希望的加工形状。

    太阳能电池单元及其制造方法

    公开(公告)号:CN102576776B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN200980159890.8

    申请日:2009-07-22

    Inventor: 中谷光德

    Abstract: 包括:第1工序,在半导体基板的一面侧形成绝缘膜;第2工序,在所述绝缘膜中的电极形成区域形成电极形成槽;第3工序,覆盖所述电极形成槽以及所述绝缘膜中的夹着所述电极形成槽的区域而比所述电极形成槽的宽度更宽地印刷作为主成分含有金属粒子的电极印刷浆料,并使其干燥;以及第4工序,在所述金属粒子的熔点以上、或者共晶温度以上的温度下,焙烧所述电极浆料,使所述电极浆料在所述电极形成槽上凝集而凝固,从而形成所述电极形成槽的宽度的电极。

    印刷掩模以及太阳能电池单元

    公开(公告)号:CN101076452B

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN200580014018.6

    申请日:2005-11-28

    Abstract: 本发明的目的在于得到由用网板印刷法涂敷电极的印刷掩模形成的印刷图案的边缘部的平均膜厚与中央部的平均膜厚的差小于等于5μm的印刷掩模。在将在掩模框5中伸张地设置的网眼2的与在印刷对象上形成的电极图案对应的区域定为开口区域4、将在除此以外的区域中埋入树脂定为掩模部3的印刷掩模1中,掩模部3具有在网眼2的与印刷对象对置的一侧从网眼2突出而形成的突出部3a,突出部3a的厚度是在用印刷掩模形成了电极图案时电极图案的端部与除此以外的部分的平均膜厚的差为小于等于5μm的厚度。

    光电动势装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102396073B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN200980158689.8

    申请日:2009-04-14

    Inventor: 中谷光德

    Abstract: 得到一种在表面和背面的电极中得到期望的电阻值、并且即使基板厚度与以往相比变薄也能够比以往提高转换效率的光电动势装置的制造方法。包含如下工序:在p型硅基板(12)的第1面侧形成扩散了n型杂质的n型扩散层(13);在n型扩散层(13)上形成防反射膜(14);在硅基板(12)的第2面上形成由SiONH膜构成的背面钝化膜(15);在防反射膜(14)上以表面电极形状形成包含银的膏材料;焙烧硅基板(12)来形成与n型扩散层(13)接触的表面电极(20);在背面钝化膜(15)上以背面电极形状形成包含金属的膏材料;以及向背面电极的形成位置照射激光来使膏材料中的金属熔融、凝固而形成背面电极(30)。

    太阳能电池单元及其制造方法

    公开(公告)号:CN102576776A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN200980159890.8

    申请日:2009-07-22

    Inventor: 中谷光德

    Abstract: 包括:第1工序,在半导体基板的一面侧形成绝缘膜;第2工序,在所述绝缘膜中的电极形成区域形成电极形成槽;第3工序,覆盖所述电极形成槽以及所述绝缘膜中的夹着所述电极形成槽的区域而比所述电极形成槽的宽度更宽地印刷作为主成分含有金属粒子的电极印刷浆料,并使其干燥;以及第4工序,在所述金属粒子的熔点以上、或者共晶温度以上的温度下,焙烧所述电极浆料,使所述电极浆料在所述电极形成槽上凝集而凝固,从而形成所述电极形成槽的宽度的电极。

    太阳能电池单元
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101901846A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010128659.7

    申请日:2005-11-28

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 通过具备光电变换层、在上述光电变换层的一个面一侧设置的第一电极、在上述光电变换层的另一个面一侧设置的第二电极以及在上述光电变换层的另一个面一侧在上述光电变换层的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠、同时将其角部作成圆角部、设置成大致四角形状并用于从上述第二电极取出输出的第三电极,得到有效地防止了与上述第二电极交叠地设置的上述第三电极的剥离的太阳能电池单元。

    太阳能电池单元及其制造方法

    公开(公告)号:CN100490183C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200580013772.8

    申请日:2005-11-28

    CPC classification number: H01L31/022425 Y02E10/50

    Abstract: 太阳能电池单元,包括光电变换衬底(10)、在上述衬底的一个面一侧设置的第一电极(21)、在上述衬底的另一个面一侧设置的第二电极(17)以及在上述衬底的另一个面一侧设置的第三电极(19)。上述第三电极从上述第二电极取出电力并且在沿着上述光电变换衬底的面的方向在其外缘部与上述第二电极交叠。上述第二电极的厚度比上述第三电极的厚度厚并且上述第二电极的厚度与上述第三电极的厚度之差大于等于10μm、小于等于30μm。

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