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公开(公告)号:CN107848246A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680041497.9
申请日:2016-07-18
申请人: 罗杰斯德国有限公司
IPC分类号: B32B5/12 , B32B5/20 , B32B7/12 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B9/06 , B32B29/08 , C25D7/00 , H01L23/373 , H05K3/00
CPC分类号: B32B9/005 , B32B5/12 , B32B5/20 , B32B7/12 , B32B9/041 , B32B9/06 , B32B15/043 , B32B15/12 , B32B15/20 , B32B29/002 , B32B29/08 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2264/107 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2307/54 , B32B2457/08 , B32B2605/00 , C25D11/005 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D17/12 , H01L23/3735 , H05K1/0201 , H05K1/0313 , H05K1/053 , H05K3/4688 , H05K2201/0116 , H05K2201/0338 , H05K2203/0315 , H05K2203/11 , H05K2203/1126
摘要: 本发明涉及一种用于电气电路的基底(1),所述基底包括至少一个借助轧制包覆制造的第一复合层(2),所述第一复合层在轧制包覆之后具有至少一个铜层(3)和连接于所述铜层的铝层(4),其中至少铝层(4)的背离铜层(3)的表面侧被阳极氧化,以产生由氧化铝构成的、阳极氧化层或绝缘层(5),并且其中由氧化铝构成的阳极氧化层或绝缘层(5)经由至少一个粘接剂层(6,6’)与金属层(7)或至少一个第二复合层(2’)或至少一个陶瓷纸层(11)连接。
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公开(公告)号:CN106961783A
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201611100617.6
申请日:2016-12-02
申请人: 三星显示有限公司
CPC分类号: H05K1/0203 , H05K1/0201 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/0373 , H05K1/18 , H05K3/46 , H05K2201/0116 , H05K2201/0187 , H05K2201/062 , H05K2201/09036 , H05K2201/09063 , H05K2201/10128 , G09F9/00
摘要: 一种电路板包括:基底层;设置在基底层上的电路层,其中气隙被限定在电路层中;阻热部分,设置在气隙中;以及设置在电路层上的电子元件。该阻热部分具有比电路层的热导率低的热导率。
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公开(公告)号:CN104145338B
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201380013129.X
申请日:2013-03-01
申请人: OLED工厂有限责任公司
发明人: D.亨特
CPC分类号: H05B33/0896 , F21V29/502 , F21V29/89 , H01L27/3204 , H01L2251/5361 , H05B33/0821 , H05K1/0201 , H05K1/0209 , H05K1/182 , H05K2201/0116 , H05K2201/062 , H05K2201/10022 , H05K2201/10106
摘要: 本发明涉及电致发光光照设备,其是基于与镇流器组件(R1-Rn)的阵列组合的标准电致发光块(D1-Dn)的阵列,所述镇流器组件(R1-Rn)的阵列以这样的方式安装在载体板(30)上以使得功率损耗跨整个板区域均匀散布以使镇流器组件中的局部电功率最小。不可避免的剩余热点和电致发光块以这样的方式热耦合以使得电致发光发射层上的附加热负载关于电致发光设备的自加热尽可能地对称。这可以通过适当设计的热扩散与电致发光和镇流器组件的热隔离的组合来实现。热扩散通过载体板上适当设计的互连结构40)来实现。提出不同选项以使电致发光块从热点热隔离。
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公开(公告)号:CN103339298B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201280007237.1
申请日:2012-02-07
申请人: 剑桥奈米科技有限公司 , 康桥纳诺塞姆有限公司
IPC分类号: C25D5/18 , C25D11/00 , C25D11/04 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/32 , C25D13/02 , C25D21/12
CPC分类号: C25D5/18 , C25D11/00 , C25D11/005 , C25D11/02 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/32 , C25D13/02 , C25D15/00 , C25D21/12 , H01L23/142 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/021 , H05K1/053 , H05K1/115 , H05K1/18 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , H05K2203/1147 , Y10T428/1317 , Y10T428/24917 , Y10T428/249969 , H01L2924/00
摘要: 一种在金属衬底上形成非金属涂层的方法涉及以下步骤:将所述金属衬底放置在电解室内并施加一连串具有交替极性的电压脉冲使所述衬底相对电极电性偏压。正电压脉冲可使所述衬底相对电极阳极偏压,而负电压脉冲可使所述衬底相对电极阴极偏压。所述正电压脉冲的振幅以电位恒定方式加以控制,而所述负电压脉冲的振幅以电流恒定方式加以控制。(56)对比文件刘亚萍等.Al2O3 粉末对镁合金微弧氧化陶瓷膜的显微结构及其耐蚀性的影响《.中国腐蚀与防护学报》.2007,第27卷(第4期),第202-205页.李贵江等.镁合金微弧氧化陶瓷膜层研究进展《.热加工工艺》.2008,第37卷(第18期),第94-97和101页.孙艳云等《.微弧氧化陶瓷膜的组织结构及其影响因素》《.华北地区第十六届热处理技术交流暨河北省机械工程学会热处理分会第六届学术年会》.万方数据,2006,第110-114页.翁海峰等.脉冲占空比对纯铝微弧氧化膜的影响《.表面技术》.2005,第34卷(第5期),第59-62页.李 玮等.分散剂用量对碳化硅浆料流变性能的影响《.硅酸盐学报》.2004,第32卷(第11期),第1356-1360页.秦伟庭等.纳米TiO2 在水分散体系中的稳定性《.印染》.2006,(第7期),第4-6页.R. Ramachandra Rao等.E ect of pH onthe dispersability of silicon carbidepowders in aqueous media《.CERAMICSINTERNATIONAL》.1999,第25卷(第3期),第223-230页.张 智等.碳化硅基浆料的流变性能《.过 程工 程 学 报》.2010,第10卷(第2期),第226-230页.李华等.纳米Al2O3在水相体系中的分散稳定性研究《.材料导报》.2007,第21卷第33-36页.蔡弘輝等.電解液中添加粒子對微弧氧化陶瓷膜之影響《.龙華科技大學學報》.2009,(第二十七期),第35-43页.
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公开(公告)号:CN106134302A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201480072811.0
申请日:2014-10-13
申请人: 康桥纳诺塞姆有限公司 , 罗杰斯公司
发明人: 帕维尔·沙什科夫 , 谢尔盖·乌索夫 , 史蒂文·柯蒂斯 , 布雷特·W·基勒亨尼
CPC分类号: H05K1/028 , C25D11/02 , C25D11/024 , H05K1/0237 , H05K1/0306 , H05K1/05 , H05K1/053 , H05K3/0044 , H05K3/28 , H05K3/44 , H05K2201/0116 , H05K2201/0175 , H05K2203/0315 , H05K2203/1147
摘要: 一种具有绝缘过孔的金属基板(MSIV)具有金属层,该金属层具有通过金属层的厚度限定的通孔;介电层,该介电层形成在金属层的表面的一部分上,并且延伸以覆盖通孔的内壁;导电材料,该导电材料延伸通过绝缘通孔以形成绝缘过孔;以及电路,该电路以与导电过孔热接触和/或电接触的方式形成介电层的一部分上。介电层是介电纳米陶瓷层,该介电纳米陶瓷层具有500纳米或更小的平均晶粒大小的等轴晶体结构、介于0.1与100微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度以及大于3W/mK的导热率。这样的MSIV能够用作支持诸如功率装置、微波装置、光电装置、固态照明装置和热电等装置的电子基板。
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公开(公告)号:CN103339297B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201280006661.4
申请日:2012-02-07
申请人: 康桥纳诺塞姆有限公司
IPC分类号: C25D5/18 , C25D11/00 , C25D11/04 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/32 , C25D13/02 , C25D21/12 , H01L23/14
CPC分类号: C25D5/18 , C25D11/00 , C25D11/005 , C25D11/02 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/32 , C25D13/02 , C25D15/00 , C25D21/12 , H01L23/142 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/021 , H05K1/053 , H05K1/115 , H05K1/18 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , H05K2203/1147 , Y10T428/1317 , Y10T428/24917 , Y10T428/249969 , H01L2924/00
摘要: 一种用于支撑装置的绝缘金属衬底(IMS)包括具有陶瓷涂层的金属衬底,所述陶瓷涂层至少部分地通过所述金属衬底的表面的一部分的氧化反应而形成。所述陶瓷涂层具有大于50KV mm‑1的介电强度和大于5Wm‑1K‑1的热导率。
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公开(公告)号:CN102413630B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201110216978.8
申请日:2011-07-28
申请人: 日东电工株式会社
CPC分类号: H05K3/108 , H05K1/0274 , H05K1/0393 , H05K3/28 , H05K2201/0116 , H05K2201/2054
摘要: 本发明提供一种布线电路基板及其制造方法。该布线电路基板具有由多孔质体膜构成的基底绝缘层。在由多孔质体膜构成的基底绝缘层上形成有导体图案。在基底绝缘层上以覆盖导体图案的方式形成有覆盖绝缘层。被用作基底绝缘层的多孔质体膜对400nm~800nm的波长区域内的至少一部分的波长的光具有50%以上的反射率。
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公开(公告)号:CN104185365A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201310196540.7
申请日:2013-05-23
申请人: 比亚迪股份有限公司
CPC分类号: H05K1/053 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1868 , C23C18/1879 , C23C18/40 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/246 , H05K3/185 , H05K3/44 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , H05K2203/107 , H05K2203/1147
摘要: 本发明提供了一种线路板,包括铝基板和线路层,线路层通过氧化铝层与铝基板相接,氧化铝层包括氧化铝膜以及填充于所述氧化铝膜中的至少一种选自铬、镍和稀土金属的填充元素。该线路板具有良好的散热性能,且线路层的附着力高。本发明进一步提供了制备所述线路板的方法。该方法采用适当的封闭剂对氧化铝膜进行封闭得到氧化铝层,通过能量束照射对氧化铝层进行活化,使其具有化学镀活性,不仅将线路层与铝基板用导热率较高的氧化铝层连接在一起,使得制备的线路板具有良好的散热性;而且形成的线路层具有高的附着力,同时还能形成精细度高的线路。
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公开(公告)号:CN103999559A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201280031843.7
申请日:2012-11-27
申请人: 绿点高新科技股份有限公司
CPC分类号: H05K1/09 , H05K1/0296 , H05K3/027 , H05K3/182 , H05K3/188 , H05K3/242 , H05K3/243 , H05K3/381 , H05K2201/0116 , H05K2203/0723 , H05K2203/107 , H05K2203/108 , H05K2203/175
摘要: 一种导电迹线结构的制备方法包含以下步骤:在一非导电性基材上形成一第一金属层;移除所述第一金属层的一部分以暴露所述非导电性基材,借此使所述第一金属层形成一镀区和一非镀区,所述镀区被划分为至少两个迹线形成部分和至少一个桥接部分;借由使用所述迹线形成部分和所述桥接部分中的一者作为一电极来电镀所述镀区而在所述镀区上形成一第二金属层;及移除所述桥接部分以及形成于所述桥接部分上的所述第二金属层。
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公开(公告)号:CN103310990A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201210139386.5
申请日:2012-05-07
申请人: 财团法人工业技术研究院
CPC分类号: H05K1/162 , H01G9/012 , H01G9/04 , H01G9/15 , H01G9/26 , H05K1/0231 , H05K1/053 , H05K2201/0116 , H05K2201/0175 , H05K2201/0191 , H05K2201/0323 , H05K2201/0329 , H05K2201/0338 , H05K2201/09063 , H05K2201/10522 , H05K2203/0307 , H05K2203/0315 , H05K2203/0369 , H05K2203/0723
摘要: 本发明公开一种固态电解电容基板模块及包括该固态电解电容基板模块的电路板。固态电解电容基板模块包括基板、氧化层、第二电极、绝缘层、导通薄片及导通孔。基板包括第一电极与多孔隙结构,第一电极包括第一表面。多孔隙结构包括表面及多个分布区域,每一分布区域分别具有一深度。氧化层设置于多孔隙结构的表面上。第二电极设置于氧化层之上,并包括导电性高分子材料。绝缘层设置于第二电极上,且包括第三表面及第四表面,第四表面连接第二电极。导通薄片设置于第一电极的第一表面上及绝缘层的第三表面上,并依照不同的极性相对应性地与导通孔电连接。
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