半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1822318A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200610008597.X

    申请日:2006-02-17

    Abstract: 目的在于提供一种激光照射的重叠部分能够不被人的眼睛识别的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件的制作方法包括:第1扫描步骤,利用照射面是矩形的脉冲形发振的激光,对形成在绝缘体上的非晶半导体膜,在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射,形成第1多晶半导体膜;以及第2扫描步骤,在上述第1多晶半导体膜上重叠照射面的一部分,并且利用上述激光对与上述第1多晶半导体膜相邻的非晶半导体膜,在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射,形成第2多晶半导体膜,其特征在于:上述激光的波长范围是390nm到640nm,上述非晶半导体膜的膜厚度大于等于60nm且小于等于100nm。

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