公开(公告)号：CN107430999B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201580078128.2

申请日：2015-11-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/312 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在以宽带隙半导体为基体材料的半导体元件(18)之上通过镀敷法形成Cu布线电极(17)的工序；还原工序，在NH3气氛下还原Cu布线电极(17)；加热工序，与还原工序同时地对Cu布线电极(17)进行加热；在加热工序之后形成包覆Cu布线电极(17)的扩散防止膜(11)的工序；以及密封工序，用有机树脂膜(10)包覆扩散防止膜(11)。

公开(公告)号：CN105934813B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201580005967.1

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供在高温动作中也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：基板(1)，具有主面；Cu电极(8)，选择性地形成于基板(1)的主面一侧；氧化防止膜(14)，形成于Cu电极(8)的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜(10)，形成于基板(1)的主面上，遮覆Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部；以及扩散防止膜(11)，在有机树脂膜(10)与基板(1)的主面之间，与两者相接而形成，并在有机树脂膜(10)与Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部之间，与两者相接而形成。

公开(公告)号：CN100336189C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410059045.2

申请日：2004-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祐介 ,  寺元弘 ,  须贺原和之 ,  竹口徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

Abstract: 提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。

公开(公告)号：CN108886055B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201780017010.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须贺原和之 ,  冈部博明 ,  吉田基

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：半导体层，配置于半导体基板上；第1半导体区域，设置于半导体层的上层部；第2半导体区域，设置于第1半导体区域的上层部；栅极绝缘膜；栅电极；第1主电极，设置于覆盖栅电极的层间绝缘膜上，经由接触孔而与第2半导体区域电连接；以及第2主电极，配置于半导体基板的第2主面上，第1主电极具有：基底电极膜，经由接触孔而与第2半导体区域连接；以及铜膜，设置于基底电极膜上，铜膜在至少一部分中包括其晶体粒径比铜膜的其它部分小的应力缓和层。

公开(公告)号：CN109075159A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084542.9

申请日：2016-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  末广善幸 ,  须贺原和之 ,  中西洋介 ,  横山吉典 ,  曾田真之介 ,  林功明

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/18

Abstract: 提供导热性高、且工作性优异的半导体装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(13)、半导体元件(11)、管芯接合材料(22)、接合材料(23)以及冷却构件(12)。绝缘基板(13)具有绝缘陶瓷(6)、设置于绝缘陶瓷(6)的一个面的导板(5)以及设置于另一个面的导板(7)。半导体元件(11)经由管芯接合材料(22)设置在导板(5)上。在管芯接合材料(22)中采用烧结金属。半导体元件(11)的弯曲强度为700MPa以上，其厚度为0.05mm以上且0.1mm以下。冷却构件(12)经由接合材料(23)接合于导板(7)。

公开(公告)号：CN105934813A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005967.1

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供在高温动作中也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：基板(1)，具有主面；Cu电极(8)，选择性地形成于基板(1)的主面一侧；氧化防止膜(14)，形成于Cu电极(8)的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜(10)，形成于基板(1)的主面上，遮覆Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部；以及扩散防止膜(11)，在有机树脂膜(10)与基板(1)的主面之间，与两者相接而形成，并在有机树脂膜(10)与Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部之间，与两者相接而形成。

公开(公告)号：CN1822318A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008597.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须贺原和之 ,  中川直纪 ,  园淳弘 ,  由良信介 ,  山吉一司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  C23C16/56 ,  C30B30/00 ,  B23K26/00 ,  G02F1/1368

Abstract: 目的在于提供一种激光照射的重叠部分能够不被人的眼睛识别的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件的制作方法包括：第1扫描步骤，利用照射面是矩形的脉冲形发振的激光，对形成在绝缘体上的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第1多晶半导体膜；以及第2扫描步骤，在上述第1多晶半导体膜上重叠照射面的一部分，并且利用上述激光对与上述第1多晶半导体膜相邻的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第2多晶半导体膜，其特征在于：上述激光的波长范围是390nm到640nm，上述非晶半导体膜的膜厚度大于等于60nm且小于等于100nm。

公开(公告)号：CN115315791A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202080098783.5

申请日：2020-04-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  佐藤祐司 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在铝电极层与铜电极层的层叠结构中在高温下工作时的Al滑动的半导体装置。因此，在本公开的半导体装置中，第一铜电极层在与铝电极层的界面包含作为朝向铝电极层突出的区域的多个突起区域。

公开(公告)号：CN109075159B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201680084542.9

申请日：2016-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  末广善幸 ,  须贺原和之 ,  中西洋介 ,  横山吉典 ,  曾田真之介 ,  林功明

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/18

Abstract: 提供导热性高、且工作性优异的半导体装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(13)、半导体元件(11)、管芯接合材料(22)、接合材料(23)以及冷却构件(12)。绝缘基板(13)具有绝缘陶瓷(6)、设置于绝缘陶瓷(6)的一个面的导板(5)以及设置于另一个面的导板(7)。半导体元件(11)经由管芯接合材料(22)设置在导板(5)上。在管芯接合材料(22)中采用烧结金属。半导体元件(11)的弯曲强度为700MPa以上，其厚度为0.05mm以上且0.1mm以下。冷却构件(12)经由接合材料(23)接合于导板(7)。

公开(公告)号：CN106165066A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480077907.6

申请日：2014-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中西洋介 ,  冈部博明 ,  吉田基 ,  须贺原和之 ,  富永贵亮

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供抑制制造工序数的增加、且能够抑制合金层对于半导体基板的欧姆特性的劣化的碳化硅半导体的制造方法。形成为碳化硅半导体装置的制造方法，其具备：在由碳化硅构成的半导体基板11上形成由第一金属构成的金属层30的工序；在金属层30上形成将第二金属氮化了的金属氮化膜40的工序；经由金属氮化膜40来照射激光、形成半导体基板11的碳化硅与金属层30的第一金属的合金层31的工序；和在金属氮化膜40上形成电极20的工序。