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公开(公告)号：CN109314049A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780031354.4
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 半导体装置的制造方法包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤和从第1半导体层侧对半导体基板照射激光从而将半导体基板切片为半导体芯片的步骤。第1半导体层包含对激光透明的半导体材料。第2半导体层包含对激光不透明的半导体材料。关于激光，照射使第1半导体层的半导体材料变化为对激光不透明的强度的激光。
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公开(公告)号：CN100521060C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410047347.8
申请日：2004-06-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大野克巳
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/148 , H01J29/467 , H01J2329/4604 , H01J2329/4617
Abstract: 提供一种电场发射型显示装置及其制造方法，可以以无须高的组装精度就可以保持荧光面(显示面)的发光均匀性的方式组装遮蔽电极。在该电场发射型显示装置(1)中，以控制电极(9)的开口部(11)的预定方向(x方向)的开口宽度(W1)形成为比遮蔽电极(23)的电子通过孔(21)的上述预定方向的开口宽度(W2)大，且遮蔽电极(23)的电子通过孔(21)的上述预定方向的开口宽度(W2)的全部范围重叠在控制电极(9)的开口部(11)的上述预定方向的开口宽度(W1)的范围内的方式，把遮蔽电极(23)配置在控制电极(9)的前侧。
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公开(公告)号：CN1574180A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047347.8
申请日：2004-06-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大野克巳
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/148 , H01J29/467 , H01J2329/4604 , H01J2329/4617
Abstract: 提供一种电场发射型显示装置及其制造方法，可以以无须高的组装精度就可以保持荧光面(显示面)的发光均匀性的方式组装遮蔽电极。在该电场发射型显示装置(1)中，以控制电极(9)的开口部(11)的预定方向(x方向)的开口宽度(W1)形成为比遮蔽电极(23)的电子通过孔(21)的上述预定方向的开口宽度(W2)大，且遮蔽电极(23)的电子通过孔(21)的上述预定方向的开口宽度(W2)的全部范围重叠在控制电极(9)的开口部(11)的上述预定方向的开口宽度(W1)的范围内的方式，把遮蔽电极(23)配置在控制电极(9)的前侧。
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公开(公告)号：CN107636805B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680032946.3
申请日：2016-06-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/073 , B23K26/364
Abstract: 本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与作为蒸发压力封闭薄片的固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，将由于照射而产生的蒸发压力封闭在半导体基板(10)与固定用薄片(14)之间来作为针对半导体基板(10)的弯曲力发挥作用，使初始裂纹(13a)延伸。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。
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公开(公告)号：CN107615439B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201680028196.2
申请日：2016-04-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大野克巳
IPC: H01H73/22
Abstract: 电路断路器的热动跳闸机构由下述部件构成：加热器(8)，其通过从电源侧端子(22)向负载侧端子(7)流动的电流而发热；高温侧双金属件(2)和低温侧双金属件(3)，它们热连接为由于加热而向彼此离开的方向变形，且彼此具有相同的特性；热阻体(1)，其连接于高温侧双金属件(2)和低温侧双金属件(3)之间；以及保持单元(4)，其将高温侧双金属件(2)及低温侧双金属件(3)的前端位置固定。由此，能够直接测定在热阻体(1)产生的热梯度，能够不易受到外部气温的影响而高精度地将断路器触点断开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1395740A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01803913.8
申请日：2001-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01J29/48
CPC classification number: H01J29/48 , H01J29/488 , H01J29/96 , H01J2229/4837
Abstract: 阴极射线管(CRT)，它具有阴极和分别设有电子通过孔的第一、第二电极，此第一、第二电极为使从阴极取出的电子束通过各个电子通过孔而配置于阴极的前面且同轴，其中通过以第一电极为基准将截止时的阴极电压设定为50V～80V，可以实现CRT的高亮度化。
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公开(公告)号：CN107636805A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680032946.3
申请日：2016-06-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/073 , B23K26/364
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/0736 , B23K26/359 , B23K2101/40 , H01L21/268 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，使得在界面(15)产生蒸发压力，使初始裂纹(13a)延伸。此时，将聚光光点形状的椭圆的长轴设为沿着预定分离线(12a)的方向且使该椭圆的半长轴a成为热扩散长度Lt以上，从而能够提高椭圆的长轴方向的裂纹延伸效果。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。
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公开(公告)号：CN107615439A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028196.2
申请日：2016-04-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大野克巳
IPC: H01H73/22
CPC classification number: H01H73/22
Abstract: 电路断路器的热动跳闸机构由下述部件构成：加热器(8)，其通过从电源侧端子(22)向负载侧端子(7)流动的电流而发热；高温侧双金属件(2)和低温侧双金属件(3)，它们热连接为由于加热而向彼此离开的方向变形，且彼此具有相同的特性；热阻体(1)，其连接于高温侧双金属件(2)和低温侧双金属件(3)之间；以及保持单元(4)，其将高温侧双金属件(2)及低温侧双金属件(3)的前端位置固定。由此，能够直接测定在热阻体(1)产生的热梯度，能够不易受到外部气温的影响而高精度地将断路器触点断开。
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公开(公告)号：CN103151308B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210514862.7
申请日：2012-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01S5/0202
Abstract: 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。
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公开(公告)号：CN103151308A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210514862.7
申请日：2012-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01S5/0202
Abstract: 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。
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