公开(公告)号：CN102859696B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201180020961.3

申请日：2011-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  渡边宽

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。

公开(公告)号：CN104285301A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380025183.6

申请日：2013-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  日野史郎 ,  古川彰彦 ,  阿部雄次 ,  中田修平 ,  今泉昌之 ,  香川泰宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/8083

Abstract: MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。

公开(公告)号：CN109155239A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780029769.8

申请日：2017-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中贵规 ,  山本茂久 ,  中村勇 ,  木村泰广 ,  中田修平 ,  三谷阳一郎

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。外延基板(3)具备：由碳化硅形成的单晶基板(10)和在其上形成的由碳化硅形成的外延层(4)。外延层(4)具备：在单晶基板(10)上形成的第1外延层(41)、在第1外延层(41)上形成的第2外延层(42)、和在第2外延层(42)上形成的第3外延层(43)，第1外延层(41)中的基底面位错的转换率不到95％，第2外延层(42)中的基底面位错的转换率比98％大。

公开(公告)号：CN104285301B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380025183.6

申请日：2013-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  日野史郎 ,  古川彰彦 ,  阿部雄次 ,  中田修平 ,  今泉昌之 ,  香川泰宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/8083

Abstract: MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)

公开(公告)号：CN102265404A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152025.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平 ,  渡边昭裕 ,  大塚健一 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的构造，特征在于，以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式，使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向，或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。

公开(公告)号：CN102067309A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123625.4

申请日：2009-04-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 电力用半导体模块(1)包括：与正侧电源端子经由第1导电图案(11)连接的第一MOS晶体管(16)；与正侧电源端子经由第2导电图案(12)连接的第1回流二极管(17)；与负侧电源端子经由第3导电图案(13)连接的第二MOS晶体管(18)；以及与负侧电源端子经由第4导电图案(14)连接的第2回流二极管(19)。这些半导体元件(16～19)经由共同的第5导电图案(15)而与负载侧的输出端子连接。此时，与正侧电源端子连接的半导体元件(16、17)和与负侧电源端子连接的半导体元件(18、19)交替配设成大致直线状。

公开(公告)号：CN102947934B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080067692.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川彰彦 ,  香川泰宏 ,  三浦成久 ,  日野史郎 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0485 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7815

Abstract: 在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

公开(公告)号：CN102473723B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN200980160038.2

申请日：2009-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边昭裕 ,  中田修平 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 在高速地进行转换的功率用半导体装置中，由于转换时流过位移电流而产生高电压，有时如栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜的绝缘被破坏。本发明的半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(80)；形成于所述半导体衬底的第1主面的第1导电型的漂移层(70)；形成于所述漂移层的表层的一部分的第2导电型的第1阱区域(50)；在所述漂移层的表层的一部分处与所述第1阱区域隔开间隔地设置的从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域(51)；形成于所述第1阱区域的表层的杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域(55)；接触在所述第1阱区域的表面上而形成的栅极绝缘膜(32)；以及接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成的栅电极(21)。

公开(公告)号：CN102265404B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980152025.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平 ,  渡边昭裕 ,  大塚健一 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的构造，特征在于，以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式，使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向，或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。

公开(公告)号：CN102067309B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980123625.4

申请日：2009-04-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 电力用半导体模块(1)包括：与正侧电源端子经由第1导电图案(11)连接的第一MOS晶体管(16)；与正侧电源端子经由第2导电图案(12)连接的第1回流二极管(17)；与负侧电源端子经由第3导电图案(13)连接的第二MOS晶体管(18)；以及与负侧电源端子经由第4导电图案(14)连接的第2回流二极管(19)。这些半导体元件(16～19)经由共同的第5导电图案(15)而与负载侧的输出端子连接。此时，与正侧电源端子连接的半导体元件(16、17)和与负侧电源端子连接的半导体元件(18、19)交替配设成大致直线状。