公开(公告)号：CN1392641A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02119180.8

申请日：2002-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阿部真司 ,  八木哲哉 ,  宫下宗治 ,  西口晴美 ,  大仓裕二 ,  笠井信之 ,  田代贺久 ,  谷村纯二

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/16

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1207828C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN01125554.4

申请日：2001-08-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田代贺久 ,  川津善平 ,  西口晴美 ,  八木哲哉 ,  岛显洋

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/162 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明的课题是，提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中，将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16，形成无序化区域，并以此作为窗口层20，以激发光照射该窗口层20，测量窗口层20的光致发光波长λdpl(nm)，将以激发光照射有源层16时所产生的光致发光的波长λapl(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光致发光的波长λdpl(nm)之差定义为蓝移量λbl(nm)，借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。

公开(公告)号：CN101447640A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810165771.0

申请日：2008-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  田代贺久 ,  森健三 ,  坂本博夫 ,  西田武弘

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。

公开(公告)号：CN102213803A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110087827.7

申请日：2011-04-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田代贺久

IPC: G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4204 ,  G02B6/4202

Abstract: 本发明涉及能够充分密封光半导体元件并且能够降低制造成本的光半导体元件模块。在芯柱（1）上安装有半导体激光器（4）。以覆盖半导体激光器（4）的方式在芯柱（1）上固定有盖部（5）。在盖部（5）上安装有塑料透镜（6）和玻璃板（7）。塑料透镜（6）对半导体激光器（4）的出射光进行聚光。玻璃板（7）密封半导体激光器（4）。这样，使用玻璃板（7），从而能够充分地密封半导体激光器（4）。并且，使用塑料透镜（6），从而能够降低制造成本。

公开(公告)号：CN101447640B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810165771.0

申请日：2008-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  田代贺久 ,  森健三 ,  坂本博夫 ,  西田武弘

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座13(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。

公开(公告)号：CN1359179A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01125554.4

申请日：2001-08-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田代贺久 ,  川津善平 ,  西口晴美 ,  八木哲哉 ,  岛显洋

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/162 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光荧光波长λdp1(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光荧光的波长λap1(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光荧光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。