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公开(公告)号：CN101527429B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910126691.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/1203 , H01S5/32391 , H01S5/3403
Abstract: 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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公开(公告)号：CN109844963A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680090354.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 衬底(1)具有表面和与表面相对的背面。在衬底(1)的表面依次层叠有n型层(2)、倍增层(3)、p型电场控制层(4)、光吸收层(5)以及窗口层(6)。在窗口层(6)的一部分形成有p型区域(7)。阳极电极(8)形成于p型区域(7)之上，与p型区域(7)连接。阳极焊盘(9)以及阴极焊盘(10)形成于衬底(1)的背面。第1连接孔(11)以及第2连接孔(12)贯穿衬底(1)。第3连接孔(13)从窗口层(6)贯穿至n型层(2)。阴极焊盘(10)经由第1连接孔(11)与n型层(2)电连接。阳极焊盘(9)经由第2连接孔(12)以及第3连接孔(13)与阳极电极(8)电连接。在衬底(1)的背面具有受光区域(16)。
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公开(公告)号：CN103247708B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310050035.1
申请日：2013-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0735
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 本发明得到一种温度依赖性小、不需要在原子层等级的膜厚控制等并且灵敏度高的半导体感光元件。在n型InP衬底（1）上设置有至少具有光吸收层（4）的半导体层叠构造（2）。光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成。由于InGaAsBi的带隙小，所以得到高的感光灵敏度。此外，由于InGaAsBi的带隙相对于温度变化为固定，所以感光灵敏度的温度依赖性变小。此外，由于光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成，所以不需要在原子层等级的膜厚控制等。
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公开(公告)号：CN109844963B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201680090354.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 衬底(1)具有表面和与表面相对的背面。在衬底(1)的表面依次层叠有n型层(2)、倍增层(3)、p型电场控制层(4)、光吸收层(5)以及窗口层(6)。在窗口层(6)的一部分形成有p型区域(7)。阳极电极(8)形成于p型区域(7)之上，与p型区域(7)连接。阳极焊盘(9)以及阴极焊盘(10)形成于衬底(1)的背面。第1连接孔(11)以及第2连接孔(12)贯穿衬底(1)。第3连接孔(13)从窗口层(6)贯穿至n型层(2)。阴极焊盘(10)经由第1连接孔(11)与n型层(2)电连接。阳极焊盘(9)经由第2连接孔(12)以及第3连接孔(13)与阳极电极(8)电连接。在衬底(1)的背面具有受光区域(16)。
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公开(公告)号：CN107546569B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710507493.1
申请日：2017-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及被用作波长可变光源的半导体装置，目的是获得能够提高光电二极管的配置自由度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具备前端面、后端面及在该前端面和该后端面两侧配置的侧面；设置于该基板的多个半导体激光器；前方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的前方输出光进行合波，向该前端面输出；后方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的后方输出光进行合并，向该后端面输出；以及多个后方波导，其设置于该基板，与该后方光合波器的输出部连接，该多个后方波导包含：主波导，其配置于该输出部的中央部：及多个侧部波导，其配置于该主波导两侧，向该侧面弯曲，从该侧面以相对于该侧面倾斜的方式输出光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633555A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310307818.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/0001 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/2813 , G02B2006/1215 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/4031
Abstract: 本发明的课题是得到能够减小分别驱动多个半导体激光器时的输出光的线宽的波动的光半导体装置。解决的手段是，MMI耦合器（2）将来自分离配置的两组半导体激光器（1a～1l）的输出光耦合。SOA（3）将来自MMI耦合器（2）的输出光放大。多条弯曲波导路（4a～4l）将两组半导体激光器（1a～1l）分别连接于MMI耦合器（2）。多条弯曲波导路（4a～4l）的曲率半径完全相同。
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公开(公告)号：CN101527429A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126691.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/1203 , H01S5/32391 , H01S5/3403
Abstract: 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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公开(公告)号：CN107546569A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710507493.1
申请日：2017-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及被用作波长可变光源的半导体装置，目的是获得能够提高光电二极管的配置自由度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具备前端面、后端面及在该前端面和该后端面两侧配置的侧面；设置于该基板的多个半导体激光器；前方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的前方输出光进行合波，向该前端面输出；后方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的后方输出光进行合并，向该后端面输出；以及多个后方波导，其设置于该基板，与该后方光合波器的输出部连接，该多个后方波导包含：主波导，其配置于该输出部的中央部：及多个侧部波导，其配置于该主波导两侧，向该侧面弯曲，从该侧面以相对于该侧面倾斜的方式输出光。
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公开(公告)号：CN103247708A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310050035.1
申请日：2013-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0735
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 本发明得到一种温度依赖性小、不需要在原子层等级的膜厚控制等并且灵敏度高的半导体感光元件。在n型InP衬底（1）上设置有至少具有光吸收层（4）的半导体层叠构造（2）。光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成。由于InGaAsBi的带隙小，所以得到高的感光灵敏度。此外，由于InGaAsBi的带隙相对于温度变化为固定，所以感光灵敏度的温度依赖性变小。此外，由于光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成，所以不需要在原子层等级的膜厚控制等。
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公开(公告)号：CN102800715A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210165691.1
申请日：2012-05-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L25/03
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: 本发明得到能实现较大的开口率的雪崩光电二极管。在n型InP衬底(1)的主表面上，依次层叠了雪崩倍增层(3)、p型InP电场缓冲层(4)、光吸收层(5)、及掺杂InP窗层(6)。在掺杂InP窗层(6)的一部分设有p型杂质区域(8)。直线状p侧电极(9)配置在p型杂质区域(8)上且与p型杂质区域(8)连接。直线状p侧电极(9)从与n型InP衬底(1)的主表面相向的平面上看呈直线状。
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