一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层及其制备方法

    公开(公告)号:CN107742561A

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201710872114.9

    申请日:2017-09-25

    发明人: 汪雪婷

    摘要: 本发明公开了一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层及其制备方法,所述阻挡层按质量百分比计,其中Ni-Zn合金占60%~85%,余下成分为Zn3N2和Ni3N2,占15%~40%。本发明的Ni-Zn-N薄膜阻挡层与现有技术相比,稳定性能有显著提高。不易受温度变化影响,耐湿性能优异,不易受水汽侵蚀,制备出的电极使用寿命较常规电极有显著提高,阻挡层薄膜厚度均小于70nm,远低于常规的阻挡层,导电性能与传统Ag电极相当,制备方法简单易行,制备成本低。

    温度传感器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104204750B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201380011445.3

    申请日:2013-03-26

    IPC分类号: G01K7/22 H01C7/04

    摘要: 本发明提供一种温度传感器,其在弯曲薄膜时在TiAlN的热敏电阻材料层上不易产生裂纹,并且能够通过非烧成直接成膜于薄膜等上,且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备:绝缘性薄膜(2);薄膜热敏电阻部(3),由TiAlN的热敏电阻材料形成于该绝缘性薄膜上;及一对图案电极(4),以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性薄膜上,一对对置电极部覆盖除相互对置之间的区域以外的薄膜热敏电阻部的整个表面。

    电子元件表面保护材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106373682A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201510962099.8

    申请日:2015-12-21

    发明人: 邱崇琪

    IPC分类号: H01C1/02 H01C7/102 C03C14/00

    摘要: 本发明提供了一种电子元件表面保护材料及其制备方法,是利用于玻璃粉材料中添加有机载体、添加剂以及陶瓷粉,并且利用调控陶瓷粉相对于整体重量的相对比例制备出具有表面粗糙特性、与胶体附着性佳、并且不易翘曲变形的电子元件表面保护材料,使该电子元件表面保护材料可以稳定地通过胶体与电路板或电子装置相黏合,并且于波峰焊接过程中不会发生掉料情形,藉此使电子元件达到防潮、抗酸碱的功效,亦可同时节省近20%的用料成本,为电子保护元件产业提供更高层次的封装技术以及更高的利润。

    一种单面极超薄NTC热敏电阻

    公开(公告)号:CN106057386A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610530539.7

    申请日:2016-07-07

    发明人: 王建江

    IPC分类号: H01C7/04 H01C1/144 H01C1/02

    CPC分类号: H01C7/04 H01C1/02 H01C1/144

    摘要: 本发明公开了一种单面极超薄NTC热敏电阻,包括第一电极、第二电极、绝缘层、NTC热敏电阻芯片,所述NTC热敏电阻芯片上表面上并排且间隔的设置有第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极两端与NTC热敏电阻芯片上表面焊接,所述第一电极和第二电极均采用厚度为0.005‑0.01mm、宽度为0.025mm、长度为300‑10000mm的铜电极,所述第一电极和第二电极间设置有绝缘层,所述绝缘层采用厚度为0.01‑0.025mm胶膜。本发明提出了一种单面极超薄NTC热敏电阻,该单面极超薄NTC热敏电阻接触被探测面积大、距离小,增加了NTC热敏电阻的反应速度。