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公开(公告)号：CN102395924A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080017169.8
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 上海交通大学
IPC: G03F7/031 , C07D241/42 , C08F2/50 , C08F220/06 , G03F7/004 , G03F7/033 , H05K3/00
CPC classification number: C07D241/42 , C08F220/06 , G03F7/031
Abstract: 一种感光性树脂组合物，含有粘合剂聚合物、具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物和选自由具有下述式(1)、(2)或(3)所示的结构的化合物组成的组中的至少1种吡嗪化合物。[式(1)～(3)中，R1～R12各自独立地表示包含烷基、环烷基、苯基、萘基或杂环式基的1价有机基团，R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10、或者R11和R12可以相互结合而与吡嗪骨架的2个碳原子一起形成环。式(2)中，X和Y各自独立地表示构成与吡嗪骨架的2个碳一起形成的单环结构或缩合多环结构的芳香族环的原子群，式(3)中，Z表示构成与吡嗪骨架的4个碳一起形成的单环结构或缩合多环结构的芳香族环、或者杂环的原子群]。
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公开(公告)号：CN102174059B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201110042711.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 上海交通大学 , 日立化成工业株式会社
Abstract: 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。
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公开(公告)号：CN102174059A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110042711.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 上海交通大学 , 日立化成工业株式会社
Abstract: 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)，其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。
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公开(公告)号：CN102395924B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080017169.8
申请日：2010-04-26
IPC: G03F7/031 , C07D241/42 , C08F2/50 , C08F220/06 , G03F7/004 , G03F7/033 , H05K3/00
CPC classification number: C07D241/42 , C08F220/06 , G03F7/031
Abstract: 一种感光性树脂组合物，含有粘合剂聚合物、具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物和选自由具有下述式(1)、(2)或(3)所示的结构的化合物组成的组中的至少1种吡嗪化合物。[式(1)～(3)中，R1～R12各自独立地表示包含烷基、环烷基、苯基、萘基或杂环式基的1价有机基团，R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10、或者R11和R12可以相互结合而与吡嗪骨架的2个碳原子一起形成环。式(2)中，X和Y各自独立地表示构成与吡嗪骨架的2个碳一起形成的单环结构或缩合多环结构的芳香族环的原子群，式(3)中，Z表示构成与吡嗪骨架的4个碳一起形成的单环结构或缩合多环结构的芳香族环、或者杂环的原子群。]
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