一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN105355711A

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201510713367.2

    申请日:2015-10-28

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521 H01L31/1804

    摘要: 本发明涉及一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法,以N型单晶硅片作为基片,将硅片进行制绒,清洗,正面进行硼源旋转涂覆,烘干,高温掺杂,正面形成B扩散发射极层,同时在正面及背面形成氧化层;经过酸溶液清洗机,去除背面氧化层;对基片进行背面POCl3扩散再进行边缘刻蚀,将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机,将正面和背面氧化层清洗干净;对基片进行高温氧化再沉积减反射膜;在基片的背面印刷电极图形,烘干后在正面印刷电极图形,烧结后形成N型双面电池。本发明提高了N型双面电池正面和背面效率并减少成本。