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公开(公告)号：CN105355711A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510713367.2
申请日：2015-10-28
申请人： 华东理工大学 , 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，以N型单晶硅片作为基片，将硅片进行制绒，清洗，正面进行硼源旋转涂覆，烘干，高温掺杂，正面形成B扩散发射极层，同时在正面及背面形成氧化层；经过酸溶液清洗机，去除背面氧化层；对基片进行背面POCl3扩散再进行边缘刻蚀，将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机，将正面和背面氧化层清洗干净；对基片进行高温氧化再沉积减反射膜；在基片的背面印刷电极图形，烘干后在正面印刷电极图形，烧结后形成N型双面电池。本发明提高了N型双面电池正面和背面效率并减少成本。
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公开(公告)号：CN109742172A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910017046.7
申请日：2019-01-08
申请人： 华东理工大学 , 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。与现有技术相比，本发明采用旋涂法将硼源涂覆在硅片正面，利用扩散后正面形成的BSG选择性激光掺杂，使得电极下方区域重掺杂硼，有效降低接触电阻，非电极区采用轻掺杂硼减少了正表面的复合，有效提高了电池的电性能。
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公开(公告)号：CN108010602B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201711229802.X
申请日：2017-11-29
申请人： 华东理工大学 , 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01B1/22 , C03C12/00
摘要： 本发明涉及一种纳米玻璃粉的制备工艺，通过高能球磨法配合分散剂来制备纳米玻璃粉，平均粒径在60～120nm，且不易沉降、团聚，可将其分散于纳米银导电墨水中，用于太阳电池电极的喷墨打印。与现有技术相比，本发明制备出的纳米玻璃粉纯度高、粒度均匀、粒径小、工艺简单，解决了太阳电池喷墨打印墨水中纳米玻璃相难以制备的问题，最终能够制得分散性好、稳定性高、不堵塞喷头的太阳电池电极喷墨打印墨水。
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公开(公告)号：CN108010602A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711229802.X
申请日：2017-11-29
申请人： 华东理工大学 , 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01B1/22 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及一种纳米玻璃粉的制备工艺，通过高能球磨法配合分散剂来制备纳米玻璃粉，平均粒径在60～120nm，且不易沉降、团聚，可将其分散于纳米银导电墨水中，用于太阳电池电极的喷墨打印。与现有技术相比，本发明制备出的纳米玻璃粉纯度高、粒度均匀、粒径小、工艺简单，解决了太阳电池喷墨打印墨水中纳米玻璃相难以制备的问题，最终能够制得分散性好、稳定性高、不堵塞喷头的太阳电池电极喷墨打印墨水。
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公开(公告)号：CN105390374A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510713443.X
申请日：2015-10-28
申请人： 华东理工大学 , 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/228 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L21/02057 , H01L21/228
摘要： 本发明涉及一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，包括硅片预清洗；硅片制绒；硅片氧化；清洗甩干；液态硼扩散源旋涂烘干等六个步骤。与现有技术对比，本发明制得的N型晶硅太阳电池的方块电阻均匀性更高，更适合产业化的生产，在太阳能领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117285002B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311571988.2
申请日：2023-11-23
申请人： 华东理工大学 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B23K26/364
摘要： 本发明涉及硅微通道加工技术领域，特别是涉及一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，在硅晶圆片上沉积掩膜层；利用激光烧蚀法在掩膜层上进行图形化，规划出微通道的线路布局，并诱导形成第一预设深度范围和第一预设宽度范围的沟道，得到预处理的硅晶圆片；对待刻蚀硅晶圆片进行湿法刻蚀，获得湿法刻蚀后的硅晶圆片，湿法刻蚀后的硅晶圆片具有第二预设深度范围、第二预设宽度范围和预设通道截面。本发明采用上述一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，降低深硅加工中的时间成本，制作快速原型设备具有操作简单，经济实用，灵活等特点。
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公开(公告)号：CN117285002A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311571988.2
申请日：2023-11-23
申请人： 华东理工大学 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B23K26/364
摘要： 本发明涉及硅微通道加工技术领域，特别是涉及一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，在硅晶圆片上沉积掩膜层；利用激光烧蚀法在掩膜层上进行图形化，规划出微通道的线路布局，并诱导形成第一预设深度范围和第一预设宽度范围的沟道，得到预处理的硅晶圆片；对待刻蚀硅晶圆片进行湿法刻蚀，获得湿法刻蚀后的硅晶圆片，湿法刻蚀后的硅晶圆片具有第二预设深度范围、第二预设宽度范围和预设通道截面。本发明采用上述一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，降低深硅加工中的时间成本，制作快速原型设备具有操作简单，经济实用，灵活等特点。
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公开(公告)号：CN111477288B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010212119.0
申请日：2020-03-24
申请人： 华东理工大学
IPC分类号： G16C60/00
摘要： 本发明公开了一种基于二维黑磷的异质结光催化材料模型的构建方法：第一步，建立具有层状结构的BP体材料模型；第二步，建立BiVO4体材料模型；第三步，将第一步制备的BP体材料模型均切(010)晶面得到磷烯，将第二步制备的BiVO4体材料模型均切(010)晶面得到BiVO4薄层；第四步，根据第三步制备的磷烯建立3×4BP(010)的超胞，根据第三步制备的BiVO4薄层建立BiVO4(010)的超胞，将3×4BP(010)的超胞垂直叠加在BiVO4(010的)超胞上，得到BP/BiVO4(010)异质结模型；本发明的方法适用于光催化系统。
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公开(公告)号：CN105703697A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610250835.1
申请日：2016-04-21
申请人： 华东理工大学
摘要： 本发明涉及一种水面光伏发电系统，包括飘浮体、组件支架及多个光伏组件，漂浮体由竹材捆扎而成，各竹材经两端的木块相互联接，光伏组件经组件支架连接安装在漂浮体上。与现有技术相比，本发明使用天然竹材制作漂浮体，成本低，对水体环境污染小，是一种绿色环保，取材方便，施工周期短，建设成本低的水面光伏发电系统建设方案。
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