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公开(公告)号：CN104167384A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410443664.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235
Abstract: 一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：对浅沟槽进行填充，并平坦化；对浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；去除衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；在硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行干法刻蚀，在浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；沉积掩模氧化物层；进行离子植入，定义有源区；湿法刻蚀去除掩模氧化物层；湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙。本发明通过在浅沟槽隔离氧化物之两侧与有源区的边界处设置多晶硅侧墙，使得在湿法刻蚀去除掩模氧化物层时，保护了所述浅沟槽隔离氧化物与所述有源区的边界处之浅沟槽隔离氧化物不被刻蚀，避免了凹坑的形成。
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公开(公告)号：CN103996617A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410254077.1
申请日：2014-06-09
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/266 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/42 , H01L21/02348 , H01L21/31058
Abstract: 本发明提供一种离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，用于将离子注入工艺后的光刻胶层去除，所述光刻胶层包括：交联层和位于交联层下方的剩余光刻胶层，包括：紫外光照射步骤，用于对所述交联层进行照射，改变所述交联层的性质；湿法清洗步骤，对改变性质后的交联层和剩余光刻胶层进行清洗以从半导体衬底的表面去除。本发明的方法，能够将光刻胶层去除，并且不会损伤半导体衬底，不会造成半导体衬底的电荷污染和缺陷。
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公开(公告)号：CN103871862A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410118197.9
申请日：2014-03-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/28158
Abstract: 本发明提供了一种双栅氧的制备方法，包括：在半导体衬底上形成第一栅氧层；在第一栅氧层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上涂覆光刻胶，经光刻和刻蚀工艺，刻蚀掉光刻区域上方的光刻胶和硬掩膜层，暴露出第一栅氧层的光刻区域表面；去除光刻胶；采用湿法刻蚀工艺，将剩余硬掩膜层和暴露出的光刻区域的第一栅氧层去除掉；在剩余的第一栅氧层上，以及在对应于刻蚀区域的半导体衬底表面生长栅氧介质，从而形成厚栅氧层和薄栅氧层。本发明的方法，可以有效降低栅氧层被污染的几率，提高双栅氧的质量，并进一步提高器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN103839773A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410060590.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02096 , H01L21/68764 , H01L2221/683
Abstract: 本发明提供一种用于湿法刻蚀工艺的酸槽，包括用于放置半导体衬底的衬底支架，所述衬底支架包括：支架底座；多个支撑柱，设置于所述支架底座上，所述支撑柱上设置有旋转装置，所述半导体衬底设置于所述旋转装置上，所述半导体衬底能够随着所述旋转装置进行转动。本发明通过在酸槽的衬底支撑架上设置旋转装置，使得半导体衬底能够随着旋转装置进行转动，使得半导体衬底上的图形能够在某段时间内平行于水流方向，更有效的去除位于图形附近的颗粒缺陷，提高了湿法刻蚀的清洗效果和最终形成的半导体衬底的良率。
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公开(公告)号：CN103681512A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310630336.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开了一种改善小尺寸沟槽内薄膜生长效果的方法，包括以下步骤：提供一半导体器件，所述器件自下而上依次包括衬底、衬垫氧化层和多晶硅层，所述半导体器件形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离内有填充层，所述填充层的顶端位于所述衬垫氧化层与所述多晶硅层上表面之间；采用湿法刻蚀工艺去除部分所述多晶硅，以扩大所述浅沟槽隔离结构的窗口，然后进行后续的薄膜生长工艺。本发明通过采用湿法刻蚀工艺以增大浅沟槽开口图案，进而使得ONO薄膜更好将沟槽进行填充，避免ONO薄膜中出现空洞，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103839773B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410060590.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于湿法刻蚀工艺的酸槽，包括用于放置半导体衬底的衬底支架，所述衬底支架包括：支架底座；多个支撑柱，设置于所述支架底座上，所述支撑柱上设置有旋转装置，所述半导体衬底设置于所述旋转装置上，所述半导体衬底能够随着所述旋转装置进行转动。本发明通过在酸槽的衬底支撑架上设置旋转装置，使得半导体衬底能够随着旋转装置进行转动，使得半导体衬底上的图形能够在某段时间内平行于水流方向，更有效的去除位于图形附近的颗粒缺陷，提高了湿法刻蚀的清洗效果和最终形成的半导体衬底的良率。
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公开(公告)号：CN103646869B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310631393.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种晶圆的清洗方法，其包括在晶圆的正面涂布一层光刻胶；向晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；用浓氢氟酸溶剂刻蚀晶圆背面的层次；去除晶圆正面的光刻胶。本发明通过对晶圆正面涂布光刻胶并注入离子掺杂，以对晶圆正面予以保护，随后对晶圆的背面进行湿法刻蚀，以去除背面的氮化硅和氧化硅，从而将网格状色差彻底消除。
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公开(公告)号：CN105225924A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410273539.4
申请日：2014-06-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种去除晶圆表面颗粒的方法。包括如下步骤，步骤一：提供一待清洗晶圆，所述晶圆的表面覆盖有介质薄膜，所述介质薄膜中粘附有若干颗粒；步骤二：通过湿法刻蚀去除一定厚度的所述介质薄膜；步骤三：通过刷片工艺对已去除一定厚度的所述介质薄膜表面进行清洗。采用此种方式，能够先将晶圆上的介质薄膜去除，用于减少表面颗粒与晶圆的粘附力，再对晶圆做刷片处理，完全去除晶圆表面颗粒，减少晶圆表面的缺陷，且清洗过程简单，成本低、晶圆合格率高。
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公开(公告)号：CN104465323A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410710203.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/30604 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及半导体器件工艺，尤其涉及一种缩小有源区关键尺寸的方法，通过在单片机台中使用0.15％-2％浓度的氢氟酸溶液清洗、刻蚀去除晶片沟槽侧壁在自然条件下形成的氧化膜，然后使用氧化性化学品将晶片沟槽的硅氧化成二氧化硅，反复进行以上步骤，直到有源区的关键尺寸满足用户的需求，使用这种方法有效缩小有源区的关键尺寸，且是比较均匀的缩小有源区的关键尺寸。
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公开(公告)号：CN104091774A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410339805.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Inventor： 宋振伟
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 一种用于湿法单片机的清洗装置，包括：喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并在所述喷液端头上间隔设置通孔。本发明用于湿法单片机的清洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。
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