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公开(公告)号：CN103247524A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310156183.1
申请日：2013-04-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种∑形凹槽的制作方法，包括；提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极和半导体衬底表面形成有保护层；利用等离子体刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺，对所述保护层和半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成∑形凹槽。于本发明利用等离子体特性，分别选择水平方向刻蚀和聚合物重的刻蚀气体，能够形成∑型凹槽结构。在此基础上再利用湿法刻蚀工艺沿晶向不同速率的特性形成∑形凹槽结构；并且该凹槽结构能够更靠近沟道，侧向距离L和垂直深度D可单独控制，即∑形凹槽的形貌可调，并能增加工艺窗口。
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公开(公告)号：CN103084968A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310062507.5
申请日：2013-02-27
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种研磨终点探测方法，包括如下步骤：发射一激光至晶圆的被研磨层；晶圆对激光进行反射；通过分析经由晶圆反射的反射光的光强信号变化来判定是否到达研磨终点。还公开了研磨终点探测装置及研磨机台。本发明利用晶圆的被研磨层与下一层材料反射率的差异性，通过分析反射光的光强变化来判断是否研磨到下一层反射率不同的材料，当晶圆的被研磨层被局部研磨完露出下层反射率不同的材料时，反射光信号开始变化，当晶圆上被研磨层的全部被研磨完后反射光信号变化趋缓，即可通过研磨终点探测程序抓到研磨终点。由于研磨终点光学探测信号比较明显，因此探测稳定性和可重复性更高，且可以广泛适用于半导体制造技术中的多种化学研磨工艺。
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公开(公告)号：CN103346077A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310287391.5
申请日：2013-07-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/268 , H01L21/28202
摘要： 一种栅氧化层的制备方法，包括：提供硅基衬底，并进行热氧化处理和热处理工艺，以形成二氧化硅栅氧化层；对二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成SiON栅氧化层；对SiON栅氧化层之表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；对经过表面激光处理的SiON栅氧化层进行高温退火工艺。本发明在对SiON栅氧化层进行高温退火之前，通过引入激光快速退火工艺对SiON栅氧化层的表面进行激光处理，不仅去除本征氧化层，防止有机物吸附而对氮掺杂造成不良影响，而且使得所形成的非晶化表面在防止表面氮原子挥发的同时，又能消除氮原子向SiO2/Si界面的扩散，进而确保其具有高和稳定的氮含量，实现对SiON栅介质介电系数精确剪裁，从而可有效提高器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103280407A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310217267.1
申请日：2013-06-03
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 本发明提供一种∑形凹槽的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极和半导体衬底表面形成有保护层；利用等离子体刻蚀工艺，对所述保护层和半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成∑形凹槽。本发明的制作方法不需要湿法刻蚀工艺，无需使用湿法刻蚀设备，仅需要通过离子体刻蚀工艺就可形成∑形凹槽，简化了工艺流程，更加容易实现工艺控制，形成的∑形凹槽更加靠近沟道，器件增强效果更好。
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公开(公告)号：CN103227146A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310120032.0
申请日：2013-04-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备钨通孔的方法，通过采用氮化硅膜作为金属钨研磨工艺的停止层，以代替传统工艺中的氧化硅膜，由于在研磨工艺中氮化硅膜相对氧化硅具有更高研磨选择比，在完成钨金属研磨工艺后，使得晶圆的表面的厚度具有较好的均匀性，并通过后续高选择比湿法刻蚀工艺，将在钨金属研磨中产生的缺陷如晶圆表面的微划伤、残留的微粒等及剩余的氮化硅膜完全去除，使得在不同密度通孔区域形成的钨栓突出高度近似，便于后续工艺的进行，进而提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN103280407B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310217267.1
申请日：2013-06-03
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 本发明提供一种∑形凹槽的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极和半导体衬底表面形成有保护层；利用等离子体刻蚀工艺，对所述保护层和半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成∑形凹槽。本发明的制作方法不需要湿法刻蚀工艺，无需使用湿法刻蚀设备，仅需要通过离子体刻蚀工艺就可形成∑形凹槽，简化了工艺流程，更加容易实现工艺控制，形成的∑形凹槽更加靠近沟道，器件增强效果更好。
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公开(公告)号：CN103247524B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310156183.1
申请日：2013-04-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种∑形凹槽的制作方法，包括；提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极和半导体衬底表面形成有保护层；利用等离子体刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺，对所述保护层和半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成∑形凹槽。于本发明利用等离子体特性，分别选择水平方向刻蚀和聚合物重的刻蚀气体，能够形成∑型凹槽结构。在此基础上再利用湿法刻蚀工艺沿晶向不同速率的特性形成∑形凹槽结构；并且该凹槽结构能够更靠近沟道，侧向距离L和垂直深度D可单独控制，即∑形凹槽的形貌可调，并能增加工艺窗口。
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公开(公告)号：CN103236416A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310121621.0
申请日：2013-04-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理并留下部分隔离层；干法刻蚀去除剩余隔离层；湿法刻蚀去除所述氮化层。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，平坦化处理未接触到氮化层，采用普通的研磨液就可以达到平坦化，降低了研磨液的成本，同时用干法刻蚀去除氮化层上剩余的隔离层，解决了化学机械研磨产生的凹陷与侵蚀现象。
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公开(公告)号：CN103199052A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310122246.1
申请日：2013-04-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理并留下部分隔离层；湿法刻蚀去除剩余隔离层后再去除所述氮化层。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，平坦化处理未接触到氮化层，采用普通的研磨液就可以达到平坦化，降低了研磨液的成本，同时用湿法刻蚀去除氮化层上剩余的隔离层，解决了化学机械研磨产生的凹陷与侵蚀现象。
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