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公开(公告)号：CN106783583B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201611076529.7
申请日：2016-11-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67069
摘要： 本发明公开了一种优化低功耗产品漏电流的方法，通过以光刻胶为模板进行硬掩膜刻蚀，在硬掩膜刻蚀终点检测点即进行去胶，再以硬掩膜为模板，使用低偏压功率，高压力，大流量聚合物气体，在进行硬掩膜过刻蚀的同时，形成衬底基材顶部的圆滑形貌，因而改变了浅沟槽刻蚀过程中，由硬掩膜底部过渡到衬底基材顶部刻蚀的切换点，消除了传统在硬掩膜过刻蚀后去胶，再进行衬底基材刻蚀所带来的尖角形貌，从而达到在衬底顶部刻蚀的起始点即形成圆滑形貌，因此可从根本上杜绝浅沟槽顶部微观尖角形貌而导致的漏电流。
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公开(公告)号：CN109148264A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810898170.4
申请日：2018-08-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02071
摘要： 本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN105374840A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510708385.1
申请日：2015-10-27
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L21/02068
摘要： 本发明提供了一种降低接触式图像传感器工作区金属污染的方法，包括：执行工作区刻蚀，所述工作区刻蚀包括像素区刻蚀和逻辑控制区的部分刻蚀；在工作区刻蚀后对晶圆进行后续清洁；对经过后续清洁的晶圆，采用原位水汽生成工艺的方式生长高致密性氧化层以进行表面氧化；使用光阻覆盖住生长有高致密性氧化层的像素区部分，对逻辑控制区进行刻蚀；对晶圆进行去胶；对高致密性氧化层进行清除。
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公开(公告)号：CN105374840B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510708385.1
申请日：2015-10-27
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种降低接触式图像传感器工作区金属污染的方法，包括：执行工作区刻蚀，所述工作区刻蚀包括像素区刻蚀和逻辑控制区的部分刻蚀；在工作区刻蚀后对晶圆进行后续清洁；对经过后续清洁的晶圆，采用原位水汽生成工艺的方式生长高致密性氧化层以进行表面氧化；使用光阻覆盖住生长有高致密性氧化层的像素区部分，对逻辑控制区进行刻蚀；对晶圆进行去胶；对高致密性氧化层进行清除。
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公开(公告)号：CN106783583A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611076529.7
申请日：2016-11-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L21/308
摘要： 本发明公开了一种优化低功耗产品漏电流的方法，通过以光刻胶为模板进行硬掩膜刻蚀，在硬掩膜刻蚀终点检测点即进行去胶，再以硬掩膜为模板，使用低偏压功率，高压力，大流量聚合物气体，在进行硬掩膜过刻蚀的同时，形成衬底基材顶部的圆滑形貌，因而改变了浅沟槽刻蚀过程中，由硬掩膜底部过渡到衬底基材顶部刻蚀的切换点，消除了传统在硬掩膜过刻蚀后去胶，再进行衬底基材刻蚀所带来的尖角形貌，从而达到在衬底顶部刻蚀的起始点即形成圆滑形貌，因此可从根本上杜绝浅沟槽顶部微观尖角形貌而导致的漏电流。
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公开(公告)号：CN105702571A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610173911.3
申请日：2016-03-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/32137
摘要： 本发明提供了一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO2Cl4析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO2Cl4；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。
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公开(公告)号：CN116110812A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111319327.1
申请日：2021-11-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3213
摘要： 本发明公开了一种金属刻蚀机台腔体预防性维护方法，在开腔前增加经过优化的燃烧清洁工艺，采取清洁/抽真空多步交替方式，将残留在静电吸盘表面的金属物质去除；在开腔预防性维护前可以明显改善静电吸盘表面金属颗粒残留现象，从而解决背氦异常导致的宕机问题，保证量产稳定性。
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公开(公告)号：CN114005738A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111265246.8
申请日：2021-10-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3213
摘要： 一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，包括：步骤S1：提供进行多晶硅LEC刻蚀的半导体器件，且多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺已完成；步骤S2：进行聚合物沉积；步骤S3：进行光刻光阻返工，并进行多晶硅薄膜刻蚀，获得满足工艺管控标准的多晶硅关键尺寸之器件。本发明通过在已完成多晶硅薄膜刻蚀之紧前工艺的半导体器件进行聚合物沉积，增大硬掩膜的关键尺寸，在不改变多晶硅薄膜之图案的情况下，进而可有效的改善多晶硅关键尺寸减小的问题，提高产品良率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105702571B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610173911.3
申请日：2016-03-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3213
摘要： 本发明提供了一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO2Cl4析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO2Cl4；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。
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公开(公告)号：CN106229289A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610604747.7
申请日：2016-07-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/027
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L21/02057 , H01L21/0274 , H01L21/0475 , H01L21/31 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/3213 , H01L21/76229 , H01L27/14687 , H01L21/76 , H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种双有源区浅沟槽的形成方法，包括在半导体衬底上形成刻蚀阻挡层，用第一光罩对两个需要刻蚀不同深度沟槽的第一、第二浅沟槽区域进行曝光和显影，完成已曝光区域刻蚀阻挡层的刻蚀，用第二光罩对需要刻蚀较深深度沟槽的第一浅沟槽区域进行曝光和显影，先完成第一浅沟槽区域一中间深度的刻蚀，然后移除第二光罩，同时对第一、第二浅沟槽区域进行一体化刻蚀，形成具有不同深度的第一、第二浅沟槽。本发明通过优化光罩设计，实现了低成本的光罩应用及刻蚀工艺的优化。
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