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公开(公告)号：CN102249344A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110152794.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2FeSnS4纳米晶的制备方法，该方法是：将反应物前躯体油胺、氯化亚铁、醋酸铜、氯化亚锡和硫粉加入一个与西莱克装置连接的四口烧瓶中，在氩气的气氛中将反应温度缓慢的升高到200-350℃反应1-60分钟，撤掉加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入丙酮和氯仿使纳米粒子沉降；然后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性好等。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102249292A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110154912.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法，该方法是：通过将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡和硫粉加入高压釜中，然后升高温度进行反应一定时间，反应完毕后，将纳米晶融于异丙醇和甲苯的混合溶液；然后以5000-12000转/min的速度离心3-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电及磁性材料。
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公开(公告)号：CN115502735B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211291164.5
申请日：2022-10-21
Applicant: 上海大学
IPC: B23Q3/00
Abstract: 公开了一种用于卧式数控机床的外圆定位锁紧夹具，夹具中，第二下弧形凹槽和第一下弧形凹槽同心对齐以支承横置的外圆零件；第一上弧形凹槽和第一下弧形凹槽构成容纳外圆零件的第一圆形通槽；第一圆形通槽和/或第二圆形通槽的内壁设有用于径向定位外圆零件的径向定位面；定位部设于径向定位面且朝远离径向定位面的方向径向延伸，定位部包括用于与外圆零件端面紧贴以轴向限位的定位台面以及可拆卸连接外圆零件自身孔系以角向定位的定位销；支板具有位于外圆零件最外端面处的压板头，锁紧螺栓穿设支板且经由螺母锁紧支板及外圆零件最外端面。
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公开(公告)号：CN115502735A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211291164.5
申请日：2022-10-21
Applicant: 上海大学
IPC: B23Q3/00
Abstract: 公开了一种用于卧式数控机床的外圆定位锁紧夹具，夹具中，第二下弧形凹槽和第一下弧形凹槽同心对齐以支承横置的外圆零件；第一上弧形凹槽和第一下弧形凹槽构成容纳外圆零件的第一圆形通槽；第一圆形通槽和/或第二圆形通槽的内壁设有用于径向定位外圆零件的径向定位面；定位部设于径向定位面且朝远离径向定位面的方向径向延伸，定位部包括用于与外圆零件端面紧贴以轴向限位的定位台面以及可拆卸连接外圆零件自身孔系以角向定位的定位销；支板具有位于外圆零件最外端面处的压板头，锁紧螺栓穿设支板且经由螺母锁紧支板及外圆零件最外端面。
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公开(公告)号：CN113752048B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110964685.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种加工异形零件的动平衡调节工装，加工异形零件的动平衡调节工装中，第一连接盘固定连接于多个立柱顶端，第一连接盘为中空盘状结构；第二连接盘固定连接于多个立柱且位于底胎和第一连接盘之间，第二连接盘为中空盘状结构；配重块连接于第一连接盘和第二连接盘之间，至少一个浮动块其弹性连接于靠近中空部的上压板内缘以抵压异形零件，浮动块设有锁紧浮动块的锁紧件，微调块设于微调块孔内且位于主螺栓和副螺栓之间，主螺栓和副螺栓配合以在微调块孔内移动微调块，活动套环分别经由两个连接件固定于支柱之间，活动套环的环径可调节，卡槽套设于活动套环内缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113752048A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110964685.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种加工异形零件的动平衡调节工装，加工异形零件的动平衡调节工装中，第一连接盘固定连接于多个立柱顶端，第一连接盘为中空盘状结构；第二连接盘固定连接于多个立柱且位于底胎和第一连接盘之间，第二连接盘为中空盘状结构；配重块连接于第一连接盘和第二连接盘之间，至少一个浮动块其弹性连接于靠近中空部的上压板内缘以抵压异形零件，浮动块设有锁紧浮动块的锁紧件，微调块设于微调块孔内且位于主螺栓和副螺栓之间，主螺栓和副螺栓配合以在微调块孔内移动微调块，活动套环分别经由两个连接件固定于支柱之间，活动套环的环径可调节，卡槽套设于活动套环内缘。
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公开(公告)号：CN102623567A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210099621.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400ºC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500ºC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102275980A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110157583.5
申请日：2011-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法是：首先将一定量的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中，然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值，使溶液处于酸性条件；升高温度在一定搅拌速度下反应一定时间，反应完毕后，将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中进行退火处理，最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。
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公开(公告)号：CN102623567B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210099621.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400oC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500oC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102275980B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110157583.5
申请日：2011-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法是：首先将一定量的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中，然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值，使溶液处于酸性条件；升高温度在一定搅拌速度下反应一定时间，反应完毕后，将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中进行退火处理，最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。
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