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公开(公告)号：CN110565165B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN110565165A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN106981500A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710082403.9
申请日：2017-02-16
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L27/3227 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种全钙钛矿的太阳能电池和LED显示集成系统及其制备方法，采用单步溶液法生长MAPbI3‑xClx薄膜，通过导线，将钙钛矿的太阳能电池的阳极与LED显示器件的阴极串联，并将钙钛矿的太阳能电池的阴极衬底和LED显示器件的阳极衬底串联，形成闭合回路，太阳能电池吸收太阳能，并放出电能为LED显示器件供电，完成太阳能电池和LED显示器件集成旋涂的制备，做到全钙钛矿系统，原材料相对易得，节省原材料和制作工序更加具有经济效应。本发明分别制备出高效的钙钛矿太阳能电池和LED显示器，最后进行集合，工序简单，便于流水线制备，而且节约材料，省时省能，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106917064A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710082345.X
申请日：2017-02-16
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/021 , C23C14/243 , C23C14/5806 , H01L51/001
Abstract: 本发明公开了一种单步原位闪蒸法生长ABX3型钙钛矿薄膜的制备方法，应用于新型材料制造工艺领域。钙钛矿薄膜制备方法如下：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，在衬底上添加加热装置，待真空度达到一定要求之后，在样品衬底温度为一定温度的条件下，采用瞬间快速将电流迅速加至不低于200A，使蒸发舟温度瞬间达到不低于1000℃的温度，材料瞬间升华，最后直接在真空腔体中进行后退火，得到稳定的ABX3型钙钛矿薄膜。本发明采用单步原位闪蒸法制备的钙钛矿薄膜，能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件。
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