公开(公告)号：CN108546995A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810204992.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  谷青苗 ,  周新雨 ,  杨帆 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  黄浩斐 ,  王林军

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。

公开(公告)号：CN108546995B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201810204992.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  谷青苗 ,  周新雨 ,  杨帆 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  黄浩斐 ,  王林军

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。

公开(公告)号：CN110190133A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910455480.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  周新雨 ,  黄柘源 ,  胡艳 ,  尚艺 ,  马云诚 ,  别佳瑛 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/227 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法，制备了MgZnO薄膜，对太阳能电池逆变器的结构进行了设计，本发明逆变器的结构采用电极-绝缘层-沟道层-电极的结构的组合形式，依次由Cr电极、SiO2衬底、MZO沟道和Au电极四部分进行层叠组装而成。本发明相比传统的逆变器，具有较高的阻断电压以及夹断电压，并且安全无毒，适宜使用于日常生活中的太阳能发电中。本发明价格相较IGZO材料的价格低廉，适用于大规模太阳能电池中。本发明的衬底使用的是玻璃，且MZO薄膜为透明薄膜，所以相比传统太阳能电池，在美观程度上具有较大的优势。