公开(公告)号：CN108546995A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810204992.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  谷青苗 ,  周新雨 ,  杨帆 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  黄浩斐 ,  王林军

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。

公开(公告)号：CN108546995B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201810204992.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  谷青苗 ,  周新雨 ,  杨帆 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  黄浩斐 ,  王林军

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。