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公开(公告)号：CN103305790A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310167243.X
申请日：2013-05-09
申请人： 上海大学
摘要： 本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。SiO2具有硅羟基，且又有很高的透射率及很低的散射率，适用纳米复合薄膜材料的表面修饰，在CdS/SiO2纳米复合薄膜中，起到保护CdS量子点、提高发光效率的作用，此类复合薄膜，作为在荧光太阳能聚光器下的转换层等，在光电技术中有广泛的运用前景。
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公开(公告)号：CN103268904A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310181487.3
申请日：2013-05-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/203
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及利用超声辅助物理气相沉积技术，生长多晶碘化汞薄膜，并在薄膜上制备了X射线探测器方法，属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明解决了制作碘化汞薄膜技术，与射线探测器制备工艺问题。此技术以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用物理气相沉积方法，制作了多晶碘化汞，并对其隔离大气，配置电极，又对薄膜器件进行有效封装，获得质佳的射线探测器。薄膜及制作的探测器经XRD、SEM、I-V等特性分析，表明气相沉积法可制得沿 晶向，柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且获甚佳晶粒完整性及均匀性，探测器与金有良好的欧姆接触。本发明适用于对X射线及Gama射线等的检测，有潜在的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN101882652A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215770.X
申请日：2010-06-29
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种基于激光刻蚀晶化光学薄膜层的新型非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法是通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积三层分别为P型、I型和N型的非晶硅(a-Si)薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光辐照样品表面，来实现N型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料太阳能可应用于太阳能汽车薄膜玻璃和建筑物薄膜玻璃幕墙。
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公开(公告)号：CN103311105A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310181115.0
申请日：2013-05-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。其主要技术方案是：首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝，并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。
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公开(公告)号：CN102956750A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210472790.4
申请日：2012-11-21
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法，具体步骤如下：a.多晶碘化汞厚膜的生长，b.多晶碘化汞厚膜表面的处理，c.电极材料的制备，d.电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单，易于操作，电极掩模板图形可变，可大面积探测器电极的制备。通过本电极制备方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X射线像素明显等优点。
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公开(公告)号：CN102689920A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210204656.6
申请日：2012-06-20
申请人： 上海大学
摘要： 本发明一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法，属于光电材料制备技术领域。本发明包括如下步骤：硫粉和金属铜锌锡盐分别溶于乙二胺和醇类有机溶剂中，在氮气的保护下将两种溶液混合，然后将混合溶液放入耐高压反应釜中，在180-240℃反应6-48小时，经离心、干燥后即可得到纯相的铜锌锡硫粉体。本发明方法采用混合溶剂，重复性好，成本低，易分离，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102709182B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210201410.3
申请日：2012-06-19
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400oC～450oC退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500oC～550退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
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公开(公告)号：CN103236452A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310141053.0
申请日：2013-04-23
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/0272 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及硒气氛下对铜锌锡硫薄膜进行硒化处理的方法。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明包括如下步骤:将硒粒和涂覆有铜锌锡硫薄膜的载玻片放入石英管中并抽高真空至5×10-4Pa，用氢氧焰加热管口至熔融并冷却封管。将石英管放入500-550℃的管式退火炉中进行热处理30min，进行铜锌锡硫薄膜的硒化处理。
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公开(公告)号：CN102965617A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210469242.6
申请日：2012-11-20
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法，本装置包括油浴加热槽，厚膜原料蒸发管，基板温度控制仪，真空室，磨砂石英顶盖和超声波发生器；多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部，多晶碘化汞粉末蒸发后即沉积于基片的下表面上。本方法为超声波辅助下油浴真空物理气相沉积法的改进。本发明装置结构简单、可重复使用、易于操作、生长腔体成本低廉，基板温度可精确控制；本发明方法制备得到的多晶碘化汞厚膜取向性高，致密性好，晶粒尺寸小，电学性能佳，为多晶碘化汞半导体辐射探测的制备打下了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN102800747A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210237891.3
申请日：2012-07-11
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，接着使用真空管式炉，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液。最后，通过水热法硫化生长ZnS壳层结构，生长溶液为0.05~0.50mol/L硫代乙酰胺（TAA）的水溶液，在水热反应釜中硫化1~9小时后取出，然后放入烘箱烘干，即可得到ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构。
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