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公开(公告)号：CN103311105A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310181115.0
申请日：2013-05-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。其主要技术方案是：首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝，并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。
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公开(公告)号：CN103255385A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310181827.2
申请日：2013-05-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射用复合靶材的设计方法，涉及磁控溅射技术及无机化合物功能薄膜制备技术领域。其是由切割成5°、10°、30°、60°的扇形段的各组元单质薄板靶材，按照一定角度比例均匀交替拼接构成的复合靶材，其组元成分比例均匀、稳定、易于变更。通过调节各组元的扇形段角度就可以调整复合靶材的成分，从而调节化合物薄膜的化学计量比，且溅射得到的化合物薄膜成分均匀。本发明特别适用于如赫斯勒及半赫斯勒化合物等具有脆性、及由于组元熔点差异较大或部分组元成分易于偏析而难以制成符合化学计量比的化合物靶材的薄膜制备，是一种不需要使用多靶材共溅射法、但能取得共溅射生长化合物薄膜或复合薄膜效果的新型复合靶材设计方法。
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公开(公告)号：CN103289683A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310167245.9
申请日：2013-05-09
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫化钠，TGA为主要原料，采用化学水浴法，制备高浓度的CdS量子点溶液；又以TEOS（正硅酸乙酯），无水乙醇，浓盐酸，去离子水为原料，获SiO2溶胶；然后，溶胶与量子点按一定摩尔比混合，并旋涂成膜，为SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜；再将此薄膜样品干燥，放入管式退火炉中，在N2气氛中进行退火，获取了SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜。CdS纳米颗粒与其他基质复合，有助于提高CdS光电性能，拓展了CdS材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN103236466A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310117598.8
申请日：2013-04-07
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。
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公开(公告)号：CN103227239A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310111724.9
申请日：2013-04-02
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。
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公开(公告)号：CN103208563A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310111690.3
申请日：2013-04-02
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜与金电极形成良好欧姆接触的制备方法，属于半导体厚膜制备技术领域。以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用超声辅助气相沉积装置制得了多晶碘化汞薄膜，再对薄膜进行表面处理，最后真空蒸镀一层金电极阵列。通过该方法可得到较好的金半接触，金电极与薄膜之间有很好的粘附性，I-V的正反响应特性都较好，金属电极漏电流小，性能稳定。该方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器特别适合于对X射线、Gama射线的探测，本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN103305790A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310167243.X
申请日：2013-05-09
申请人： 上海大学
摘要： 本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。SiO2具有硅羟基，且又有很高的透射率及很低的散射率，适用纳米复合薄膜材料的表面修饰，在CdS/SiO2纳米复合薄膜中，起到保护CdS量子点、提高发光效率的作用，此类复合薄膜，作为在荧光太阳能聚光器下的转换层等，在光电技术中有广泛的运用前景。
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公开(公告)号：CN103280399A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310181496.2
申请日：2013-05-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/14
摘要： 本发明公开了磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜，涉及无机化合物功能薄膜制备技术领域及磁控溅射技术领域。其特征在于是通过一种特殊设计的复合靶材，利用普通磁控溅射及后退火处理得到成分分布均匀的、符合化学计量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工艺参数为：溅射功率20W，工作气压0.7Pa，溅射时间60-120min，快速退火时间1-5min，常规退火时间30-120min。本发明实现了TiCoSb材料的薄膜化，为对其热电和光电性能的进一步研究及对其在薄膜热电、光电器件领域的应用有相当积极的作用。
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公开(公告)号：CN103268904A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310181487.3
申请日：2013-05-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/203
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及利用超声辅助物理气相沉积技术，生长多晶碘化汞薄膜，并在薄膜上制备了X射线探测器方法，属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明解决了制作碘化汞薄膜技术，与射线探测器制备工艺问题。此技术以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用物理气相沉积方法，制作了多晶碘化汞，并对其隔离大气，配置电极，又对薄膜器件进行有效封装，获得质佳的射线探测器。薄膜及制作的探测器经XRD、SEM、I-V等特性分析，表明气相沉积法可制得沿 晶向，柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且获甚佳晶粒完整性及均匀性，探测器与金有良好的欧姆接触。本发明适用于对X射线及Gama射线等的检测，有潜在的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN103236452A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310141053.0
申请日：2013-04-23
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/0272 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及硒气氛下对铜锌锡硫薄膜进行硒化处理的方法。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明包括如下步骤:将硒粒和涂覆有铜锌锡硫薄膜的载玻片放入石英管中并抽高真空至5×10-4Pa，用氢氧焰加热管口至熔融并冷却封管。将石英管放入500-550℃的管式退火炉中进行热处理30min，进行铜锌锡硫薄膜的硒化处理。
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