公开(公告)号：CN113504268A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110647239.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  易永胜 ,  曹港 ,  林婧 ,  蔡建聪 ,  朱家杰 ,  王文贞 ,  秦娟 ,  赖建明 ,  王林军

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种用于卤化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置，提供真空测试条件，提供不同温度测试条件，减少器件的拆取，减少夹具对器件的损失，将测试系统与数据采集进行自动化处理。所述测试装置包括真空装置、夹具装置、测试仪器、控制程序。所述测试凹台由塑料材质与金属外壳进行绝缘处理，测试台上方铜制平台及上方铜制弹片通过铜丝导线与电学测试接口连接。本发明构建了一套完整的电学测试系统，解决了钙钛矿材料测试引起的材料水解、材料水氧反应等引起的测试不稳定问题，实现了低温下和变温条件下的电学测试，实现了电学测试金属屏蔽，实现了程序自动化测试，提高了电学测试的准确性。

公开(公告)号：CN117659399A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311653084.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 上海大学 ,  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 杨煜 ,  郑天樾 ,  王震 ,  秦娟 ,  阎敬灵

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供了一种主链含发色团的本征型彩色聚酰亚胺通过将含苝结构的单体、含苝酰亚胺结构的单体、含偶氮结构的单体及含蒽醌结构的单体等发色团单体中的一种与的二胺单体和酸酐单体进行反应制备得到；采用本发明技术方案，本发明采用共聚的方式将苝、苝双酰亚胺、偶氮及蒽醌发色团引入到PI主链中，制备得到了本征型红色、黄色、蓝色及紫色PI，相较于现有技术中通过掺杂染料型的彩色PI，本征型彩色PI有效解决了染料热稳定性差及分散不均等问题。

公开(公告)号：CN103255385A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310181827.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 秦娟 ,  单荣 ,  孙纽一 ,  王国华 ,  吴纯清 ,  史伟民

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用复合靶材的设计方法，涉及磁控溅射技术及无机化合物功能薄膜制备技术领域。其是由切割成5°、10°、30°、60°的扇形段的各组元单质薄板靶材，按照一定角度比例均匀交替拼接构成的复合靶材，其组元成分比例均匀、稳定、易于变更。通过调节各组元的扇形段角度就可以调整复合靶材的成分，从而调节化合物薄膜的化学计量比，且溅射得到的化合物薄膜成分均匀。本发明特别适用于如赫斯勒及半赫斯勒化合物等具有脆性、及由于组元熔点差异较大或部分组元成分易于偏析而难以制成符合化学计量比的化合物靶材的薄膜制备，是一种不需要使用多靶材共溅射法、但能取得共溅射生长化合物薄膜或复合薄膜效果的新型复合靶材设计方法。

公开(公告)号：CN103289683A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310167245.9

申请日：2013-05-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 秦娟 ,  王国华 ,  陈振一 ,  廖阳 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  史伟民 ,  孙纽一

IPC: C09K11/56 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫化钠，TGA为主要原料，采用化学水浴法，制备高浓度的CdS量子点溶液；又以TEOS（正硅酸乙酯），无水乙醇，浓盐酸，去离子水为原料，获SiO2溶胶；然后，溶胶与量子点按一定摩尔比混合，并旋涂成膜，为SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜；再将此薄膜样品干燥，放入管式退火炉中，在N2气氛中进行退火，获取了SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜。CdS纳米颗粒与其他基质复合，有助于提高CdS光电性能，拓展了CdS材料的应用领域。

公开(公告)号：CN103305790A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310167243.X

申请日：2013-05-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 秦娟 ,  王国华 ,  陈振一 ,  廖阳 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  史伟民 ,  孙纽一

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。SiO2具有硅羟基，且又有很高的透射率及很低的散射率，适用纳米复合薄膜材料的表面修饰，在CdS/SiO2纳米复合薄膜中，起到保护CdS量子点、提高发光效率的作用，此类复合薄膜，作为在荧光太阳能聚光器下的转换层等，在光电技术中有广泛的运用前景。

公开(公告)号：CN103280399A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310181496.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 秦娟 ,  孙纽一 ,  王国华 ,  张敏 ,  吴纯清 ,  史伟民

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明公开了磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜，涉及无机化合物功能薄膜制备技术领域及磁控溅射技术领域。其特征在于是通过一种特殊设计的复合靶材，利用普通磁控溅射及后退火处理得到成分分布均匀的、符合化学计量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工艺参数为：溅射功率20W，工作气压0.7Pa，溅射时间60-120min，快速退火时间1-5min，常规退火时间30-120min。本发明实现了TiCoSb材料的薄膜化，为对其热电和光电性能的进一步研究及对其在薄膜热电、光电器件领域的应用有相当积极的作用。