公开(公告)号：CN101866860A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010186273.1

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  曾庆锴 ,  黄健 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  夏义本

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/812 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。

公开(公告)号：CN101859704A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010185685.3

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张凤娟 ,  黄健 ,  唐可 ,  曾庆锴 ,  夏辅元 ,  张继军 ,  闵嘉华

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/365 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。

公开(公告)号：CN101859704B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201010185685.3

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张凤娟 ,  黄健 ,  唐可 ,  曾庆锴 ,  夏辅元 ,  张继军 ,  闵嘉华

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/365 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。

公开(公告)号：CN101950769A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010215805.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  曾庆锴 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。

公开(公告)号：CN101866860B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010186273.1

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  曾庆锴 ,  黄健 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  夏义本

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/812 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。

公开(公告)号：CN101950769B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201010215805.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  曾庆锴 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。