公开(公告)号：CN102623567A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210099621.0

申请日：2012-04-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 张彬磊 ,  曹萌 ,  李亮 ,  沈悦 ,  王林军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400ºC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500ºC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。

公开(公告)号：CN103803655A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410000728.4

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  张彬磊 ,  李超 ,  沈悦 ,  王林军

IPC: C01G49/00

Abstract: 本发明公开了一种Cu2FeSnS4微米级空心球的溶剂热制备方法，属于光伏电池材料技术领域。该方法是通过：将反应物前躯体氯化铜、氯化亚铁、四氯化锡、硫脲以及反应溶剂乙二醇、去离子水和形貌控制剂乙基纤维素一起加入高压釜中，然后升温至180℃反应一定时间，反应完毕后，将冷却后的反应溶液中加入无水乙醇和去离子水作为离心清洗剂；然后以一定转速离心一定时间，倒去上层溶液，收集下层沉淀物，重复离心数次至溶液澄清，收集沉淀物，最终得到高质量的Cu2FeSnS4微米级空心球。本发明Cu2FeSnS4微米级空心球的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的微米级空心球的分散性良好、并由结晶性良好的纳米颗粒所组成，且为空心球。

公开(公告)号：CN104085917A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410173339.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  李超 ,  张彬磊 ,  王林军 ,  沈萍

IPC: C01G19/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种低成本、结晶性好的纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线的制备方法。该方法首先在室温下，将乙酸镉和L-半胱氨酸与去离子水混合搅拌至完全溶解，再滴加无水乙二胺，搅拌均匀后180℃条件下反应24h；离心分离，收集下层沉底物，在60℃干燥5h，即得到CdS纳米线；然后，室温下将硫酸铜，氯化亚锡，L-半胱氨酸和上步制得的CdS纳米线溶于去离子水中，搅拌均匀。再向混和溶液中滴加无水乙二胺，搅拌均匀后180℃条件下反应24h；离心分离，收集下层沉底物，放入干燥箱中60℃干燥5h，即得到纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线。本纳米线的制备方法操作简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，适合批量合成。所制备的纳米线可以作为太阳电池器件的吸收层材料。

公开(公告)号：CN104085917B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201410173339.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  李超 ,  张彬磊 ,  王林军 ,  沈萍

IPC: C01G19/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种低成本、结晶性好的纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线的制备方法。该方法首先在室温下，将乙酸镉和L-半胱氨酸与去离子水混合搅拌至完全溶解，再滴加无水乙二胺，搅拌均匀后180℃条件下反应24h；离心分离，收集下层沉底物，在60℃干燥5h，即得到CdS纳米线；然后，室温下将硫酸铜，氯化亚锡，L-半胱氨酸和上步制得的CdS纳米线溶于去离子水中，搅拌均匀。再向混和溶液中滴加无水乙二胺，搅拌均匀后180℃条件下反应24h；离心分离，收集下层沉底物，放入干燥箱中60℃干燥5h，即得到纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线。本纳米线的制备方法操作简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，适合批量合成。所制备的纳米线可以作为太阳电池器件的吸收层材料。

公开(公告)号：CN102623567B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201210099621.0

申请日：2012-04-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 张彬磊 ,  曹萌 ,  李亮 ,  沈悦 ,  王林军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400oC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500oC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。