公开(公告)号：CN107275440A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710438002.2

申请日：2017-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  梁小燕 ,  张滢 ,  徐梦玥 ,  李明 ,  杨柳青 ,  张继军 ,  王林军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/02167

Abstract: 本发明公开了一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，该方法包括a.抛光；b.腐蚀；c.制备金电极；d.表面钝化四个步骤，其中最后表面钝化具体步骤是：将在真空腔内采用阳极层离子源对步骤c所得的金电极的CZT晶体表面沉积DLC薄膜，其具体步骤为：向真空腔内通入Ar气，真空腔内气压为10-3～10－4Pa，开启阳极层离子源对CZT表面清洗8～10min；然后通入C2H2气体，保持温度为20～25℃在金电极的CZT晶体表面沉积厚度为5～10nm左右的DLC薄膜，即得到表面钝化的碲锌镉晶片。该方法采用DLC薄膜钝化CZT表面进行钝化能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶片表面电阻率，降低碲锌镉（CdZnTe，CZT）探测器的表面漏电流，提高CZT探测器的电学性能。