公开(公告)号：CN102703983A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210196925.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  孙孝翔 ,  席韡 ,  刘伟伟 ,  滕嘉琪 ,  梁小燕 ,  张继军 ,  王东 ,  李辉

IPC: C30B29/46 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明涉及双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置。属特殊晶体生长技术领域。本发明要点是：将满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.8)的纯度为99.99999%的Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，依次放入二次封套和一次封套，抽真空至2.0×10-4Pa，在一次封套处封结石英坩埚。将封好的坩埚放入合料炉，缓慢升温至500℃，经一定时间保温后，缓慢升温至物料熔点合料保温。缓慢降温至室温后，合料完毕。然后取出坩埚，在二次封套处，对坩埚进行二次封管。切去尾部一次封套部分，将装有CdZnTe物料的坩埚放入晶体生长炉中进行单晶生长。利用双封套通过二次封管的方法实现了对晶体生长时自由空间体积的压缩，在后续的单晶生长过程中，能有效抑制晶体中Cd空位的形成，从而提高了晶体的性能。