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公开(公告)号：CN102193319B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010118297.3
申请日：2010-03-05
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种光刻机硅片台双台交换系统，包括位于预处理工位的第一硅片台和位于曝光工位的第二硅片台，在第一硅片台从预处理工位向曝光工位移动的同时，第二硅片台从曝光工位向预处理工位移动，从而进行双台交换操作，在该双台交换操作过程中第一硅片台和第二硅片台不会滞留在一交换位置进行切换，而是第一硅片台从预处理工位直接移动到曝光工位，第二硅片台从曝光工位直接移动到预处理工位。根据本发明的技术方案，第一硅片台和第二硅片台同时移动，不会产生如现有技术中因两个硅片台滞留在一交换位置进行切换而消耗相当的时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN102193323B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010118906.5
申请日：2010-03-05
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提出一种光刻机的双工件台系统，包括X向导向表面和Y向导向表面；第一硅片台和第二硅片台，其各自沿平行于X向和Y向从第一位置移动到第二位置：移动系统，包括第一移动单元和第二移动单元，第一硅片台和第二硅片台各自藕接至第一移动单元和第二移动单元，当第一移动单元带动第一硅片台依次沿一X向导向表面的正向、一Y向导向表面的正向以及另一X向导向表面的负向移动时，第二移动单元带动第二硅片台依次沿另一X向导向表面的负向、另一Y向的导向表面的负向以及前述X向导向表面的正向移动，使第一硅片台和第二硅片台交换位置。该双工件台系统使得该第一移动单元、第二移动单元与第一硅片台和第二硅片台同时移动，不会产生如现有技术中因两个硅片台滞留在一交换位置进行切换而消耗相当的时间，影响产率。
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公开(公告)号：CN102193319A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010118297.3
申请日：2010-03-05
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种光刻机硅片台双台交换系统，包括位于预处理工位的第一硅片台和位于曝光工位的第二硅片台，在第一硅片台从预处理工位向曝光工位移动的同时，第二硅片台从曝光工位向预处理工位移动，从而进行双台交换操作，在该双台交换操作过程中第一硅片台和第二硅片台不会滞留在一交换位置进行切换，而是第一硅片台从预处理工位直接移动到曝光工位，第二硅片台从曝光工位直接移动到预处理工位。根据本发明的技术方案，第一硅片台和第二硅片台同时移动，不会产生如现有技术中因两个硅片台滞留在一交换位置进行切换而消耗相当的时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN102346384B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201010241655.X
申请日：2010-07-30
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供了一种将硅片调整至最佳焦平面的方法及其曝光装置。将硅片调整至最佳焦平面的方法包括下述步骤。在预备阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一反射光斑以产生第一误差值。在第一曝光阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一光斑以产生第一光斑信号；根据第一光斑信号与第一误差值计算第一硅片的第一离焦位置；根据第一离焦位置将第一硅片调整至最佳焦平面。
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公开(公告)号：CN101770181A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010118812.8
申请日：2010-03-05
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提出一种光刻机的双工件台系统，其包括沿平行于X向设置的导向表面；第一硅片台和第二硅片台，其沿平行于X向和Y向从第一位置移动到第二位置；置换系统，设置成沿该导向表面移动，该置换系统包括沿平行于Y向设置的第一置换单元和第二置换单元，第一硅片台和第二硅片台各自设置于第一置换单元和第二置换单元上并在各自的第一置换单元和第二置换单元上沿平行于Y向移动，第一置换单元和第二置换单元相互对接，使第一硅片台和第二硅片台交换位置，这样的双工件台系统节约现有技术中双硅片台位置调换的时间，提高了光刻机产率。
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公开(公告)号：CN102566336B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010618390.0
申请日：2010-12-30
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明提出一种掩模版的固定装置，掩膜版包括多个第一导磁部。固定装置包括承载部和多个吸附模块。承载部承载掩膜版。多个吸附模块固定于承载部，每个吸附模块于第一导磁部的位置一一对应。每个吸附模块包括电磁铁，当电磁铁通电时，产生磁场将第一导磁部吸附在承载部上。电磁铁可以被第一磁铁和第二磁铁替代，第一磁铁或第二磁铁可改变磁极方向，当第一磁铁和第二磁铁磁极方向相同时，产生磁场将第一导磁部吸附在承载部上。本发明提出一种掩膜版的固定装置，通过磁力吸附的方式将掩膜版固定在固定装置上，制作简单，使用可靠，控制方便。
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公开(公告)号：CN102566336A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010618390.0
申请日：2010-12-30
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明提出一种掩模版的固定装置，掩膜版包括多个第一导磁部。固定装置包括承载部和多个吸附模块。承载部承载掩膜版。多个吸附模块固定于承载部，每个吸附模块于第一导磁部的位置一一对应。每个吸附模块包括电磁铁，当电磁铁通电时，产生磁场将第一导磁部吸附在承载部上。电磁铁可以被第一磁铁和第二磁铁替代，第一磁铁或第二磁铁可改变磁极方向，当第一磁铁和第二磁铁磁极方向相同时，产生磁场将第一导磁部吸附在承载部上。本发明提出一种掩膜版的固定装置，通过磁力吸附的方式将掩膜版固定在固定装置上，制作简单，使用可靠，控制方便。
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公开(公告)号：CN102346384A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010241655.X
申请日：2010-07-30
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供了一种将硅片调整至最佳焦平面的方法及其曝光装置。将硅片调整至最佳焦平面的方法包括下述步骤。在预备阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一反射光斑以产生第一误差值。在第一曝光阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一光斑以产生第一光斑信号；根据第一光斑信号与第一误差值计算第一硅片的第一离焦位置；根据第一离焦位置将第一硅片调整至最佳焦平面。
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