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公开(公告)号：CN117625315A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210951419.X
申请日：2022-08-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/39 , C11D3/60 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物及其应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10‑30％氧化剂、0.001‑0.01％氧化型谷胱甘肽、0.001‑0.25％半胱氨酸、氟化物、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L31、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)和水，水补足余量。本发明的含氟清洗液组合物可以高度选择性地移除TiN、TaN、TiNxOy、Ti硬遮罩和包含上述物质的合金的硬遮罩，且对具有等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳。本发明的选择性移除硬遮罩的清洗液对多种金属及电介质缓蚀性强，清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN113161234B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110461606.5
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/26
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112859552B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110155936.1
申请日：2021-02-04
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。具体地，本发明公开了氧化钒缓蚀含氟剥离液在半导体器件中对待剥离材料进行剥离和清洗中的应用，其中所述氧化钒缓蚀含氟剥离液的原料包括下列组分：氟化物、烷醇胺、缓蚀剂、络合剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic 908中的一种或多种。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对例如VOX/PI/Ni等材料的光阻材料腐蚀性低。
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公开(公告)号：CN112859554B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110156148.4
申请日：2021-02-04
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。所述氧化钒缓蚀含氟剥离液的制备方法为将其原料混合即可，其中所述原料包括下列组分：氟化物、烷醇胺、缓蚀剂、络合剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic 908中的一种或多种。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对例如VOX/PI/Ni等材料的光阻材料腐蚀性低。
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公开(公告)号：CN112859554A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110156148.4
申请日：2021-02-04
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。所述氧化钒缓蚀含氟剥离液的制备方法为将其原料混合即可，其中所述原料包括下列组分：氟化物、烷醇胺、缓蚀剂、络合剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic 908中的一种或多种。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对例如VOX/PI/Ni等材料的光阻材料腐蚀性低。
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公开(公告)号：CN112859553B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110155937.6
申请日：2021-02-04
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。所述氧化钒缓蚀含氟剥离液，其原料包括下列组分：氟化物、烷醇胺、缓蚀剂、络合剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic 908中的一种或多种。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对例如VOX/PI/Ni等材料的光阻材料腐蚀性低。
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公开(公告)号：CN112859552A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110155936.1
申请日：2021-02-04
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。具体地，本发明公开了氧化钒缓蚀含氟剥离液在半导体器件中对待剥离材料进行剥离和清洗中的应用，其中所述氧化钒缓蚀含氟剥离液的原料包括下列组分：氟化物、烷醇胺、缓蚀剂、络合剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic 908中的一种或多种。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对例如VOX/PI/Ni等材料的光阻材料腐蚀性低。
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公开(公告)号：CN117625316A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210952767.9
申请日：2022-08-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/39 , C11D3/60 , C11D11/00
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将所述的含氟清洗液组合物中的各个组分混合，即得到所述的含氟清洗液组合物；10‑30％氧化剂、0.001‑0.01％氧化型谷胱甘肽、0.001‑0.25％半胱氨酸、氟化物、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L31、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。采用本发明的含氟清洗液组合物的制备方法制得的含氟清洗液组合物可以高选择性地移除TiN、TaN、TiNxOy、Ti硬遮罩和包含上述物质的合金的硬遮罩。
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公开(公告)号：CN116042331A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211414101.4
申请日：2022-11-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗液的应用。所述的清洗液可用于移除集成电路湿制程清洗工艺中的刻蚀或灰化后残留物；所述的清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：醇胺、5‑20％羟胺、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)以及水，水补足余量。本发明的清洗液可以清洗的残留物范围广，且一般对曝露的基板材料(例如，曝露的低k介质材料、金属氧化物、金属、金属氮化物及其合金)无腐蚀性，具有良好的应用前景。
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