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公开(公告)号：CN107354509B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710414310.1
申请日：2017-06-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用，所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba(1‑x)YxF2+x，其中0.01≤x≤0.50。本发明的BaF2晶体闪烁性能得到改善，钇掺杂可以极大地抑制BaF2晶体的慢发光分量，具有优异的快/慢闪烁分量比，该掺杂晶体与光探测器耦合制作成闪烁探头，适用于高能物理、核物理、超高速成像和核医学成像等高时间分辨辐射领域。
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公开(公告)号：CN102864495B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201210322231.5
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种宽板状锗酸铋闪烁晶体材料及其在辐射探测领域中的应用。所述宽板状锗酸铋闪烁晶体材料的截面面积不小于24,000mm2，其长度范围为400‑800mm，宽度范围为60‑500mm，厚度范围为1‑100mm。本发明的宽板状锗酸铋闪烁晶体材料，以其高质量、超大宽板形式应用于伽玛相机、X射线成像、闪烁计数仪、闪烁能谱仪和单光子发射断层扫描仪等辐射探测领域。
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公开(公告)号：CN102828230B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210322557.8
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适的纵向温度梯度，制备出宽板状、高质量的锗酸铋无机闪烁晶体。
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公开(公告)号：CN102787350A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210322219.4
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人： 王绍华 , 倪海洪 , 周里华 , 陈俊锋 , 刘光煜 , 赵鹏 , 袁兰英 , 周学农 , 张健 , 宋桂兰 , 齐雪君 , 李赟 , 陆裕贵 , 杜勇 , 李文朋 , 李敏 , 徐力 , 孙世允 , 刘训龙
摘要： 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。
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公开(公告)号：CN114085430A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202010857472.4
申请日：2020-08-24
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC分类号： C08K13/02 , C08K5/01 , C08K5/353 , C08K3/22 , C08K3/34 , C08K3/16 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08L25/16
摘要： 本发明涉及一种有机/无机复合闪烁体及其制备方法，所述有机/无机复合闪烁体的制备方法包括：（1）将发光杂质、移波剂和塑料聚合单体进行混合，得到混合溶液1；（2）将所得混合溶液1置于保护气氛中，然后在40～70℃下预聚合50～100小时，得到混合溶液2；（3）在保护气氛下，将无机闪烁粉体加入所得混合溶液2并置于分散脱泡搅拌机中进行混合和脱泡，得到混合溶液3；（4）在保护气氛下，将所得混合溶液3在60～90℃下反应50～150小时后降至室温，得到所述有机/无机复合闪烁体。
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公开(公告)号：CN109402724B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201710703145.1
申请日：2017-08-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明提供一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法，该装置包括：可升降支架，由所述可升降支架支撑的滚轴丝杆平台，由步进电机控制以相对于所述滚轴丝杆平台移动的移动温场，通过固定支架固定于所述滚轴丝杆平台并横穿所述移动温场的石英玻璃炉管，置于所述石英玻璃炉管内部的生长容器。本发明有利于实现晶体生长的动态或实时观察，且可以采用籽晶接种工艺，获取特定方向的晶体，同时，生长出的晶体顶部处于非受限状态，给晶体的膨胀预留了空间，有利于晶体内部应力的及时释放，减少晶体的开裂，本方法生长速度快，晶体生长的成功率高，制得的单晶体质量优异，因此大大降低了晶体的生产成本。
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公开(公告)号：CN109402724A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710703145.1
申请日：2017-08-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明提供一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法，该装置包括：可升降支架，由所述可升降支架支撑的滚轴丝杆平台，由步进电机控制以相对于所述滚轴丝杆平台移动的移动温场，通过固定支架固定于所述滚轴丝杆平台并横穿所述移动温场的石英玻璃炉管，置于所述石英玻璃炉管内部的生长容器。本发明有利于实现晶体生长的动态或实时观察，且可以采用籽晶接种工艺，获取特定方向的晶体，同时，生长出的晶体顶部处于非受限状态，给晶体的膨胀预留了空间，有利于晶体内部应力的及时释放，减少晶体的开裂，本方法生长速度快，晶体生长的成功率高，制得的单晶体质量优异，因此大大降低了晶体的生产成本。
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公开(公告)号：CN102787350B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210322219.4
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人： 王绍华 , 倪海洪 , 周里华 , 陈俊锋 , 刘光煜 , 赵鹏 , 袁兰英 , 周学农 , 张健 , 宋桂兰 , 齐雪君 , 李赟 , 陆裕贵 , 杜勇 , 李文朋 , 李敏 , 徐力 , 孙世允 , 刘训龙
摘要： 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。
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公开(公告)号：CN103818942B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410029571.8
申请日：2014-01-22
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC分类号： C01F11/20
摘要： 本发明涉及一种高纯无水碘化锶的制备方法，包括：向盛有含锶化合物水溶液的反应容器中搅拌下逐滴加入氢碘酸至溶液pH为5～6得到碘化锶的水溶液；将碘化锶的水溶液的pH值调至7～9，过滤，滤液浓缩至近饱和后快速降温至0～4℃析出结晶物，过滤得到结晶物溶于水，得到纯化后碘化锶的水溶液；将纯化后碘化锶的水溶液在流动的惰性保护气下加热至150～200℃并保温1～30小时脱水得到SrI2·xH2O的白色蓬松料，x≦1；将白色蓬松料在无水无氧的惰性气氛中研磨成粉末并装入玻璃容器中；在真空下加热玻璃容器至350～450℃保温1～20小时以脱去粉末中的结晶水，在保持抽真空状态下自然降温到室温；以及在保持抽真空状态下将玻璃容器熔封。
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公开(公告)号：CN102864495A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210322231.5
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种宽板状锗酸铋闪烁晶体材料及其在辐射探测领域中的应用。所述宽板状锗酸铋闪烁晶体材料的截面面积不小于24,000mm2，其长度范围为400-800mm，宽度范围为60-500mm，厚度范围为1-100mm。本发明的宽板状锗酸铋闪烁晶体材料，以其高质量、超大宽板形式应用于伽玛相机、X射线成像、闪烁计数仪、闪烁能谱仪和单光子发射断层扫描仪等辐射探测领域。
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