-
公开(公告)号：CN102864495B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201210322231.5
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种宽板状锗酸铋闪烁晶体材料及其在辐射探测领域中的应用。所述宽板状锗酸铋闪烁晶体材料的截面面积不小于24,000mm2，其长度范围为400‑800mm，宽度范围为60‑500mm，厚度范围为1‑100mm。本发明的宽板状锗酸铋闪烁晶体材料，以其高质量、超大宽板形式应用于伽玛相机、X射线成像、闪烁计数仪、闪烁能谱仪和单光子发射断层扫描仪等辐射探测领域。
-
公开(公告)号：CN102828230B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210322557.8
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适的纵向温度梯度，制备出宽板状、高质量的锗酸铋无机闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN102787350A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210322219.4
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人： 王绍华 , 倪海洪 , 周里华 , 陈俊锋 , 刘光煜 , 赵鹏 , 袁兰英 , 周学农 , 张健 , 宋桂兰 , 齐雪君 , 李赟 , 陆裕贵 , 杜勇 , 李文朋 , 李敏 , 徐力 , 孙世允 , 刘训龙
摘要： 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN102787350B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210322219.4
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人： 王绍华 , 倪海洪 , 周里华 , 陈俊锋 , 刘光煜 , 赵鹏 , 袁兰英 , 周学农 , 张健 , 宋桂兰 , 齐雪君 , 李赟 , 陆裕贵 , 杜勇 , 李文朋 , 李敏 , 徐力 , 孙世允 , 刘训龙
摘要： 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN102864495A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210322231.5
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种宽板状锗酸铋闪烁晶体材料及其在辐射探测领域中的应用。所述宽板状锗酸铋闪烁晶体材料的截面面积不小于24,000mm2，其长度范围为400-800mm，宽度范围为60-500mm，厚度范围为1-100mm。本发明的宽板状锗酸铋闪烁晶体材料，以其高质量、超大宽板形式应用于伽玛相机、X射线成像、闪烁计数仪、闪烁能谱仪和单光子发射断层扫描仪等辐射探测领域。
-
公开(公告)号：CN102828230A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210322557.8
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适的纵向温度梯度，制备出宽板状、高质量的锗酸铋无机闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN1763271A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN1306075C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3%的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600-1000ppm(at%)和100-300ppm(at%)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN221120587U
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202322956915.7
申请日：2023-11-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： F16B11/00
摘要： 本申请涉及夹具技术领域，提供一种带排胶功能的元件胶合用夹具，包括底座、移动夹块、螺杆、至少两个导轨；底座包括连接部、第一侧立部和第二侧立部，第一侧立部和第二侧立部分别垂直设置于连接部的两端，第一侧立部、连接部和第二侧立部依次围合成夹持空间；螺杆穿设于第一侧立部且与第一侧立部螺接；至少两个导轨设于夹持空间且均平行于螺杆，导轨之间相互间隔并且所有导轨的顶部高度一致；移动夹块位于夹持空间中，导轨穿设于移动夹块，移动夹块适于沿导轨平移，当向靠近移动夹块的方向旋拧螺杆时螺杆的端部会抵推移动夹块沿导轨向靠近第二侧立部的方向平移。本申请结构简单，便于胶水的排出，提升片状元件间胶层厚度的一致性。
-
公开(公告)号：CN220840963U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322319846.9
申请日：2023-08-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 一种阵列片组件多线切割夹具，包括切割料板、定位靠板和挡板。切割料板承载阵列片组件；定位靠板有两个，分别位于切割料板在宽度方向上的两侧，定位靠板沿切割料板长度方向延伸，切割料板的承托面与两个定位靠板相互靠近的侧面相垂直设置。定位靠板位于切割料板承托面所在一侧的端面，沿定位靠板长度方向设有若干依次排布的切割槽。挡板有两个，分设于两个定位靠板相互远离的一侧，且挡板在定位靠板高度方向上的尺寸大小大于切割槽的槽深大小。本申请中，阵列片组件可紧贴定位靠板的侧面胶粘于切割料板上，以确保切割的精准度，提高产品良率。同时，挡板可阻挡切割中料皮、料渣等杂质随着水流进入罗拉槽轮内，降低切割线断线率，提高切割效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.051 秒)
