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公开(公告)号：CN104347724A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410457682.9
申请日：2014-09-10
申请人： 上海联星电子有限公司
发明人： 杜寰
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0607 , H01L29/66681
摘要： 一种具有屏蔽环的LDMOS器件及其制备方法。本发明适用于集成电路制造领域，提供了具有屏蔽环的LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；沟道区；源区；漂移区；漏区；栅极多晶硅；屏蔽环。本发明实施例，通过在LDMOS器件中添加屏蔽环，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN104241380A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410459461.5
申请日：2014-09-10
申请人： 上海联星电子有限公司
发明人： 杜寰
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0646
摘要： 本发明适用于集成电路制造领域，提供了射频LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；P+下沉区域；源区；多晶硅栅；沟道区；漂移区；漏区。本发明实施例，通过调整射频LDMOS器件的漂移区注入计量，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN103929183A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410160502.0
申请日：2014-04-21
申请人： 上海联星电子有限公司
发明人： 杜寰
IPC分类号： H03M1/66
摘要： 本发明属于数模转换电路技术领域，公开了一种D/A转换电路，包括计数器，比较器和传输门，优选地还包括缓冲寄存器。计数器和缓冲寄存器的输出连接到比较器的输入端，比较器的输出控制传输门的开断。此电路结构简单，调节方便，电压变化范围大，很好满足了LCoS微显示面板的要求。
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公开(公告)号：CN103852602A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410102906.4
申请日：2014-03-19
申请人： 上海联星电子有限公司
IPC分类号： G01R1/04
CPC分类号： G01R1/045
摘要： 本发明涉及射频微波测量技术领域，特别涉及一种射频非对称低阻抗测试夹具，包括：PCB板及底板。PCB板的左侧设置有第一阻抗变换单元，PCB板的右侧设置有第二阻抗变换单元。第一阻抗变换单元和第二阻抗变换单元分别由一组渐变的微带线组成，每组所述微带线中的每条微带线的宽度相同，每组微带线的长度在排列方向上按照从小到大，再从大到小的规律变化。PCB板连接在底板的上端。本发明提供的射频非对称低阻抗测试夹具，可以有效的提高待测晶体管的阻抗实部，解决振荡的源头问题，防止烧毁待测试器件，保证待测试器件射频、微波性能充分发挥。
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公开(公告)号：CN103928460B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410160518.1
申请日：2014-04-21
申请人： 上海联星电子有限公司
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；LDMOS的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；栅指单元包括：多个栅指基底以及其延伸结构，用于管脚连接的管脚连接件；管脚连接件呈梳齿形；呈梳齿形的管脚连接件顶端与栅指基底相连，且连接点位于呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；管脚连接件的梳齿状延伸结构与LDMOS的栅极端相连；漏端延伸结构与LDMOS的漏极端相连。本发明通过对称设置的栅指单元降低寄生电感电阻的影响，改善电压分布；同时优化信号相位同步率，提高芯片效率。
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公开(公告)号：CN104660186A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510019247.2
申请日：2015-01-14
申请人： 上海联星电子有限公司
摘要： 本发明涉及射频微波设计、测量领域，提供了一种匹配电路确定方法及负载牵引系统，以解决现有技术中无法准确设计出高功率的功率放大器的匹配电路的技术问题。该方法应用于负载牵引系统，该系统中设置有被测器件，被测器件的第一端连接有第一测试夹具，第一测试夹具外侧连接有第一调谐器，被测器件的第二端连接有第二测试夹具，第二测试夹具外侧连接有第二调谐器，方法包括：控制第二调谐器连接于第二测试夹具的第一阻抗值所在位置；将第一测试夹具替换为第一匹配电路；分别检测获得负载牵引系统的多个参数值；从多个参数值中确定出满足预设条件的第一参数值。达到了能够准确设计出高功率的功率放大器的匹配电路的技术效果。
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公开(公告)号：CN103915333A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410160178.2
申请日：2014-04-21
申请人： 上海联星电子有限公司
发明人： 杜寰
IPC分类号： H01L21/3105 , G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L21/31056 , G02F1/133553 , H01L21/02697
摘要： 本发明属于像素制造技术领域，公开了一种像素表面平整度实现方法，包括：硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD（等离子增强化学气相淀积）方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤；优选地，还包括CMP（化学机械抛光）步骤，保证硅片表面平整度，以及采用银来制备镜面反射电极。本发明的方法能够确保镜面反射电极制备之前的像素表面的平整度，用银代替铝制备镜面反射电极，提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。
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公开(公告)号：CN103928460A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410160518.1
申请日：2014-04-21
申请人： 上海联星电子有限公司
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；LDMOS的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；栅指单元包括：多个栅指基底以及其延伸结构，用于管脚连接的管脚连接件；管脚连接件呈梳齿形；呈梳齿形的管脚连接件顶端与栅指基底相连，且连接点位于呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；管脚连接件的梳齿状延伸结构与LDMOS的栅极端相连；漏端延伸结构与LDMOS的漏极端相连。本发明通过对称设置的栅指单元降低寄生电感电阻的影响，改善电压分布；同时优化信号相位同步率，提高芯片效率。
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公开(公告)号：CN103762240A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310754681.6
申请日：2013-12-31
申请人： 上海联星电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L21/266 , H01L29/0684 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/66681
摘要： 本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法，包括源极、栅极、漏极，以及硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，漂移区。优选地，本发明采用漂移区两次注入。本发明的LDMOS器件设计带来了器件导通电阻的极大优化，具有优越的性能和广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN104407181B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410837875.7
申请日：2014-12-25
申请人： 上海联星电子有限公司
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本发明涉及射频微波测量领域，公开了一种测试夹具，以解决现有技术中测试夹具要么容易导致被测件被损坏、要么测试带宽较窄的技术问题，该测试夹具包括：第一测试电路、第一斯坦变换渐变微带线、第二斯坦变换渐变微带线及第二测试电路，其中第一测试电路包含第一90°混合电桥和第二90°混合电桥，第二测试电路包含第三90°混合电桥和第四90°混合电桥，其中四个90°混合电桥既能够起到射频开路的作用，从而防止阻抗失配，同时四个90°混合电桥与两个斯坦变换渐变微带线又能够起到扩展射频带宽的作用，进而达到了在保证被测件的安全的同时，提高射频测试带宽的技术效果。
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