一种硅烷法生产高纯度多晶硅用反应器及其工艺

    公开(公告)号:CN116854096B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202310884159.3

    申请日:2023-07-18

    摘要: 本申请涉及多晶硅生产技术领域,具体公开了一种硅烷法生产高纯度多晶硅用反应器及其工艺。一种硅烷法生产高纯度多晶硅用反应器,包括反应器本体,反应器本体上设置有进气管和出气管,反应器本体周侧设置有对反应器本体进行冷却的第一冷却组件,反应器本体内设置有硅棒,反应器本体底部设置有对硅棒进行加热的加热组件,反应器本体内设置有对硅棒进行冷却的第二冷却组件,反应器本体内设置有位于硅棒和第二冷却组件上方的硅粉捕集器,硅粉捕集器包括冷却套管、第一进水管和第一出水管,第一进水管和第一出水管贯穿反应器顶部并与冷却套管连通。本申请中硅粉可粘附和积聚在硅粉捕集器中,减少硅粉粘附在反应器本体内壁,有利于提高多晶硅的质量。

    一种硅碳负极材料反应器及硅碳负极材料制备方法

    公开(公告)号:CN117920069A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311738439.X

    申请日:2023-12-18

    摘要: 本发明公开了一种硅碳负极材料反应器及硅碳负极材料制备方法,该反应器包括反应炉、搅拌系统、加热系统和气体供应系统,气体供应系统与反应炉连接并用于向反应炉供应气体;加热系统设置在反应炉的外周壁上并用于对反应炉内部进行加热,搅拌系统设置在反应炉一端并延伸至反应炉内部;气体至少包括硅源气体和碳源气体。通过搅拌系统、加热系统和气体供应系统的配合,使得所述反应炉内的碳粉被搅拌以依次通过分解硅源气体沉积硅包覆层和分解碳源气体沉积碳包覆层后形成硅碳负极材料。该反应器能实现连续生产,缩短生产周期,实现产能提升。通过本发明硅碳负极材料制备方法制得硅碳负极材料组分间连接紧密、结合力强,具有优良的循环寿命和稳定性。

    一种氧缺陷TiO2@Si@碳微球及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117199299A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311242032.8

    申请日:2023-09-25

    摘要: 本申请涉及新能源材料制备技术领域,具体公开了一种TiO2@Si@碳微球及其制备方法和应用。一种氧缺陷TiO2@Si@碳微球包括碳微球,碳微球表面包覆有硅层,硅层表面包覆有氧缺陷的二氧化钛层;其制备方法为:将碳微球、硅酸四乙酯和酸进行化学水解,得到SiO2@碳微球;将SiO2@碳微球和还原剂进行化学热还原,得到Si@碳微球;将Si@碳微球和有机钛盐进行化学水解,煅烧,得到TiO2@Si@碳微球;将TiO2@Si@碳微球和还原性气体进行化学热还原,得到氧缺陷TiO2@Si@碳微球。由于氧缺陷TiO2@Si@碳微球,有多重内核结构,可保护内核不受外界的化学侵蚀,因此具有较高的电化学性能。

    一种高温高效合金反应提纯炉及合金反应工艺

    公开(公告)号:CN111690833B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN201910185811.6

    申请日:2019-03-12

    IPC分类号: C22C1/02 C22B9/04

    摘要: 本发明公开了一种高温高效合金反应提纯炉,包括内部中空设为反应腔体的炉体,所述反应腔体内设有坩埚,所述坩埚连接有传动系统,所述传动系统包括可伸入坩埚内的提拉装置和连接在坩埚外的传动装置,所述反应腔体连接有真空系统,所以反应腔体内设有加热系统,所述炉体连接有冷却系统,还包括控制柜和电源系统,所述传动系统、加热系统、冷却系统和真空系统分别与控制柜和电源系统相连;还公开了一种合金反应工艺;代替小型试验金属合成装置,能够大规模生产;通用性强,采用几大功能系统结合,适用多种半导体合金金属,不限于镓、镁、镉、碲等金属的合金。

    一种还原炉底盘激光自动清洗机
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117102159A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311251797.8

    申请日:2023-09-25

    IPC分类号: B08B7/00 B08B13/00 B08B15/04

    摘要: 本申请公开了一种还原炉底盘激光自动清洗机,涉及多晶硅生产领域。包括:保护罩本体,所述保护罩本体开设有用于充入保护性气体的充气孔,所述保护罩本体具有开口端,所述开口端与还原炉底盘抵接并形成密封空间;机械手,所述机械手具有多个自由度,所述机械手安装在所述保护罩本体内,所述机械手靠近还原炉底盘的端部安装有激光清洗枪头,所述激光清洗枪头用于清洗还原炉底盘表面沉积的杂质;安装筒,所述安装筒与所述保护罩本体远离开口端的一侧连接,所述安装筒内安装有用于控制机械手运动和用于控制激光的控制柜。通过采用上述技术方案,进而实现清洗过程防爆的效果。

    一种圆柱状硅芯的制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116876075A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310888937.6

    申请日:2023-07-19

    摘要: 本发明公开了一种圆柱状硅芯的制备方法,涉及硅芯生长技术领域,包括以下步骤:装料:将多晶硅料装入石英坩埚中,并将多根籽晶装到籽晶夹头上,合炉后进行抽真空检漏;化料:将物料通过加热器全部熔化,由CCD影像系统采集分析数据,并调整加热器的功率,使液面温度维持在最佳引晶温度;缩颈:将籽晶下降至液面以下,再以一定速度快速提拉多根籽晶;放肩:将籽晶按一定速度往上提拉,并旋转籽晶,使每根籽晶的直径逐渐变大成为硅芯;等径生长:由CCD影像系统分析得出最佳拉速,将硅芯保持最佳拉速往上提拉,并将坩埚反向旋转且向上提升,保持长晶液面维持不变;提出:将硅芯提出液面,自然冷却后开炉取出。本发明可同时拉制多根高纯度硅芯。

    一种区熔级多晶硅料的制备装置及方法

    公开(公告)号:CN112723357A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202110190431.9

    申请日:2021-02-18

    发明人: 张华芹 程佳彪

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供了一种区熔级多晶硅料的制备装置,包括底盘;设置在底盘上的炉体,炉腔;硅芯,作为化学气相沉积的基质;主加热电源,主加热电源与硅芯电路连通为硅芯供电;原料进口,用于通入生成区熔级多晶硅料的气体原料;辅助加热装置。体外壁设有冷却夹套,冷却水腔与冷却夹套相连通。一种区熔级多晶硅料的制备方法,包括:将氯硅烷与氢气通入炉腔内;预热;进一步加热;将三氯氢硅和氢气通过主进气环管通入炉腔内;通过主进气环管开始增加三氯氢硅通入量、减少氢气通入量,其次开始通过次进气环管通入二氯二氢硅,最后开始减少二氯二氢硅的通入量。能够减少外界其他设备带来的污染、并且有效控制硅棒热应力的效果。

    前驱体充装系统
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117432927A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311409415.X

    申请日:2023-10-26

    IPC分类号: F17C5/00 F17C13/02 F17C13/04

    摘要: 本申请涉及充装设备的技术领域,具体涉及一种前驱体充装系统,包括n个充装组件,n≥1,每一充装组件包括分别通断连接的吹扫主管和吹扫支管、真空主管和真空支管、充装主管和充装支管,吹扫支管、真空支管、充装支管的自由端汇集构成第一接口,第一接口用于与待充装罐体的注液口通断连接,其中:吹扫主管构成吹扫总管,真空主管构成真空总管,充装主管构成充装总管,吹扫总管的一端通断连接气源;真空总管的一端通断连接真空源;充装总管的一端通断连接介质源。本申请具有一次连接完成全流程充装,降低转移合格钢瓶充装过程中发生污染概率的效果。

    一种硅烷反应精馏工艺及其系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117205842A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311199029.2

    申请日:2023-09-16

    摘要: 本申请涉及硅烷反应精馏领域,具体公开了一种硅烷反应精馏工艺及其系统。一种硅烷反应精馏系统,其包括依次连通设置的提纯塔、反应精馏塔、脱轻塔以及产品塔;反应精馏塔上段装填有第一催化剂床层以及第二催化剂床层,第一催化剂床层和第二催化剂床层之间设置有隔板,所述第一催化剂床层和第二催化剂床层均装填有弱碱基树脂催化剂,以实现二氯二氢硅歧化反应生成硅烷。一种适用于上述的一种硅烷反应精馏系统的硅烷反应工艺,以西门子多晶硅生产中副产物二氯二氢硅为原料,经过本申请的一种硅烷反应精馏系统生产的高纯电子级甲硅烷电子特气纯度高,级别为8N,提高了西门子法多晶硅工艺装置经济性。