公开(公告)号：CN110556357B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201810536558.X

申请日：2018-05-30

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 刘兴潮 ,  陈立哲 ,  宋建宪 ,  许书维

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种电容结构及其制造方法，包含设置于基底上的第一电极板、设置于第一电极板上的第一电容介电层、和设置于第一电容介电层上的第二电极板。第一电极板的一部份延伸超出第二电极板的一端，以形成一阶梯。此电容结构还包含蚀刻停止层、金属间介电层、第一导孔以及第二导孔。蚀刻停止层设置于第二电极板上，金属间介电层覆盖蚀刻停止层、第二电极板、第一电容介电层和第一电极板。第一导孔穿过金属间介电层以接触第一电极板于延伸超出第二电极板的部分。第二导孔穿过金属间介电层和蚀刻停止层，以接触第二电极板。

公开(公告)号：CN112242436A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201910643781.9

申请日：2019-07-17

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 陈立哲 ,  宋建宪 ,  林志威 ,  谭鸿志

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一源极，设置于该基板中，位于该栅极的一侧；一漏极，设置于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及一栅极延伸部，设置于该基板上，位于该栅极与该漏极之间，其中该栅极的掺杂型式与该栅极延伸部的掺杂型式相反。通过本发明特殊的半导体结构设计可有效减少开关器件的功率损失，大幅提高开关频率及达到高效能的电功率转换。

公开(公告)号：CN110556357A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201810536558.X

申请日：2018-05-30

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 刘兴潮 ,  陈立哲 ,  宋建宪 ,  许书维

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种电容结构及其制造方法，包含设置于基底上的第一电极板、设置于第一电极板上的第一电容介电层、和设置于第一电容介电层上的第二电极板。第一电极板的一部份延伸超出第二电极板的一端，以形成一阶梯。此电容结构还包含蚀刻停止层、金属间介电层、第一导孔以及第二导孔。蚀刻停止层设置于第二电极板上，金属间介电层覆盖蚀刻停止层、第二电极板、第一电容介电层和第一电极板。第一导孔穿过金属间介电层以接触第一电极板于延伸超出第二电极板的部分。第二导孔穿过金属间介电层和蚀刻停止层，以接触第二电极板。

公开(公告)号：CN107437525A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610351959.9

申请日：2016-05-25

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 周英凯 ,  陈立哲 ,  刘兴潮

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明提供了半导体装置及其形成方法。半导体装置的形成方法包含形成图案化遮罩于基底上，图案化遮罩包含垫氧化层和氮化硅层于垫氧化层上，经由图案化遮罩对基底实施第一刻蚀工艺形成沟槽，在沟槽内和图案化遮罩上形成介电材料层，实施平坦化工艺移除沟槽外的介电材料层，实施热处理工艺，在垫氧化层和基底的界面形成氧化部邻接于介电材料层。本发明半导体装置在隔离结构和主动区的交界处形成较平滑的栅极氧化层表面，以提高栅极氧化层的完整性，并降低尖端放电和电崩溃效应发生的机率，提高半导体装置的效能和可靠度。

公开(公告)号：CN107437525B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201610351959.9

申请日：2016-05-25

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 周英凯 ,  陈立哲 ,  刘兴潮

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明提供了半导体装置及其形成方法。半导体装置的形成方法包含形成图案化遮罩于基底上，图案化遮罩包含垫氧化层和氮化硅层于垫氧化层上，经由图案化遮罩对基底实施第一刻蚀工艺形成沟槽，在沟槽内和图案化遮罩上形成介电材料层，实施平坦化工艺移除沟槽外的介电材料层，实施热处理工艺，在垫氧化层和基底的界面形成氧化部邻接于介电材料层。本发明半导体装置在隔离结构和主动区的交界处形成较平滑的栅极氧化层表面，以提高栅极氧化层的完整性，并降低尖端放电和电崩溃效应发生的机率，提高半导体装置的效能和可靠度。

公开(公告)号：CN109037142A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201710438898.4

申请日：2017-06-12

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 陈立哲

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76205 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提出了一种半导体装置及其隔离区块的制造方法，其中半导体装置的隔离区块的制造方法包含提供半导体基底，实施刻蚀工艺，在半导体基底内形成多个互相平行的沟槽，其中该些沟槽之间具有多个条状结构，该些条状结构与该些沟槽在半导体基底中占据第一区，且该些条状结构与该些沟槽交错排列，以及实施热氧化工艺，使得该些条状结构氧化形成多个氧化部，其中该些氧化部延伸至该些沟槽中且互相连接，以在半导体基底中形成隔离区块。