公开(公告)号：CN104981921B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201480007785.3

申请日：2014-02-12

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 水野直树 ,  清水健

IPC: H01M2/16 ,  B32B5/32 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32

CPC classification number: H01M2/1686 ,  B29C47/92 ,  B29K2023/00 ,  B29L2007/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/32 ,  B32B2264/0235 ,  B32B2264/025 ,  B32B2264/102 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/724 ,  B32B2307/726 ,  B32B2457/10 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/166 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种电池用隔膜及该电池用隔膜的制造方法，所述电池用隔膜为在厚度为16μm以下的聚烯烃微多孔膜的单面上层叠有包含氟树脂和无机粒子或交联高分子粒子的改性多孔层的电池用隔膜，所述聚烯烃微多孔膜的(a)关闭温度为135℃以下，(b)不透气度变化率为1×104sec/100cc/℃以上，并且所述电池用隔膜满足式1及式2。0.01≤absT(1200)≤0.30···式1，absT(1200)：将改性多孔层从聚烯烃微多孔膜上剥离后，利用红外光谱测定(透射法)测得的每10μm厚度聚烯烃微多孔膜在1,200cm－1附近具有峰的吸收的吸光度；0.001≤absR(1200)≤0.030···式2，absR(1200)：利用红外光谱测定(反射法)测得的聚烯烃微多孔膜的与改性多孔层为相反一侧的面的1,200cm－1附近最大峰的吸光度。本发明提供对电极具有粘接性、且关闭性能、电解液渗透性优异、适于高容量电池的电池用隔膜及该电池用隔膜的制造方法。

公开(公告)号：CN1125135C

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN96193491.3

申请日：1996-12-27

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 清水健 ,  德永淳人 ,  田中正幸

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/22 ,  C08K5/521 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08K3/01 ,  C08K5/521 ,  H01L2924/0002 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 适用于半导体密封的环氧树脂组合物，其中含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、无机填充剂(C)、磷酸酯化合物(D)，相对于组合物而言，无机填充剂(C)的含量在80%(重量)以上。借助于上述构成，不必使用卤代类阻燃剂、锑类阻燃剂也能得到阻燃性、成形性、可靠性和焊接耐热性优异的半导体密封用环氧树脂组合物。

公开(公告)号：CN1182447A

公开(公告)日：1998-05-20

申请号：CN96193491.3

申请日：1996-12-27

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 清水健 ,  德永淳人 ,  田中正幸

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/22 ,  C08K5/521 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08K3/01 ,  C08K5/521 ,  H01L2924/0002 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 适宜于半导体密封的环氧树脂组合物,其中含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、无机填充剂(C)、磷酸酯化合物(D),相对于组合物而言,无机填充剂(C)的含量在80%(重量)以上。借助于上述构成,不必使用卤代类阻燃剂、锑类阻燃剂也能得到阻燃性、成型性、可靠性和焊接耐热性优异的半导体密封用环氧树脂组合物。

公开(公告)号：CN1204611C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN01803144.7

申请日：2001-08-22

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 小仓干弘 ,  木越将次 ,  德永正实 ,  堤康章 ,  龟井隆一 ,  清水健

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/86 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49572 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/24843 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及用于半导体装置的并带有粘合剂的带，该带由绝缘性膜层和1层以上的半固化状态的粘合剂层的层积物构成，其中，该绝缘性膜层在50℃～200℃的在膜宽度方向上的线膨胀系数为17ppm/℃～30ppm/℃，此外，拉伸弹性率为6GPa～12GPa，并且该粘合剂层的在宽度方向上的在150℃的弹性率为1MPa～5GPa，在25℃～150℃的线膨胀系数在10ppm/℃～500ppm/℃范围里。本发明提供了由所述构成的、适于工业中制成半导体装置的带粘合剂的带以及使用了它的铜膜叠层板、半导体连接用基板和半导体装置的材料，可以提高高密度实装用的半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN1393033A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01803144.7

申请日：2001-08-22

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 小仓干弘 ,  木越将次 ,  德永正实 ,  堤康章 ,  龟井隆一 ,  清水健

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/86 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49572 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/24843 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及以具有下述特性(1)、(2)的绝缘性膜层和1层以上的半固化状态的粘合剂层的层积物所构成为特征的半导体用有粘合剂的带，(1)在50～200℃膜的宽度方向(TD)的线膨胀系数为17～30ppm/℃；(2)拉伸弹性率为6～12GPa。本发明提供了由所述构成的、适合于工业中制成半导体装置的带粘合剂的带以及使用了它的铜膜叠层板、半导体连接用基板和半导体装置的材料，可以提高高密度实装用的半导体装置的可靠性。