公开(公告)号：CN106486450B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610730700.5

申请日：2016-08-26

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 天野裕之 ,  枪田聪明 ,  崎田熊祐 ,  安德优希 ,  陈炜

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B21C1/02 ,  B23K35/302 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  C23C26/00 ,  C25D3/50 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01206

摘要： 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其为线径在10～25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。

公开(公告)号：CN105830205B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201480068797.7

申请日：2014-12-04

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  萩原快朗 ,  小山田哲哉 ,  小田大造

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/322 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/0607 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/386 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01203

摘要： 本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；以及，被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。

公开(公告)号：CN107195609A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710593376.1

申请日：2015-05-20

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 小山田哲哉 ,  宇野智裕 ,  出合博之 ,  小田大造

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C5/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45138 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN106847781A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610563409.3

申请日：2016-07-18

申请人： 现代摩比斯株式会社

发明人： 高在铉

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/051 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/92147

摘要： 本公开涉及一种功率模块封装及其制造方法。所述功率模块封装包括其上形成有图案的下基板，彼此以预定距离分隔开从而安装在下基板的上表面上的功率半导体元件和带，通过第一粘合层连接至所述功率半导体元件的上部的第一间隔物，通过第二粘合层连接至所述带的上部的第二间隔物，和通过第三粘合层连接至所述第一间隔物和所述第二间隔物每个的上部的上基板。

公开(公告)号：CN104396011B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201380033792.6

申请日：2013-05-27

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 池内宏树

IPC分类号： H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/645 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8482 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/92248 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

摘要： 在将与逆变器模块的P、U及N输出电极分别连接的铜电极棒彼此靠近并配置于芯片的上表面的现有结构中，未充分实现降低不需要的电感分量的目的。半导体装置包括：第1引线框(1)；第2引线框(2)；配置于第1引线框(1)与第2引线框(2)之间的第2绝缘树脂(8)；半导体元件(4a)和(4b)；将第1引线框(1)和第2引线框(2)进行密封的密封树脂(9)；将半导体元件(4a)和(4b)、与第1引线框(1)电连接的电布线部(5)；以及将第1引线框(1)和第2引线框(2)电连接的层间连接部(6)。

公开(公告)号：CN103871537B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310597813.9

申请日：2013-11-22

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 佐川英之 ,  青山正义 ,  鹫见亨 ,  藤户启辅

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B5/02 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01B1/026 ,  C22F1/08 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45157 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45618 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供一种铜接合线及其制造方法。所述铜接合线可抑制接合线保管时在接合线表面生长氧化膜，可提高接合时的连接可靠性。铜接合线（1）具备以铜为主成分的芯材（2）和形成于芯材（2）的表面的表面处理层（3），表面处理层（3）具有含有与氧的亲和性比铜高的金属和氧的非晶质层。

公开(公告)号：CN103681568B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310397219.5

申请日：2013-09-04

申请人： 赫劳斯材料工艺有限及两合公司

发明人： J-S·柳 ,  E-K·郑 ,  Y-D·卓

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  C22C5/06

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K2101/36 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  C22C5/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12041 ,  H05K7/02 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

摘要： 本发明涉及用于接合应用的银合金引线。本发明涉及接合引线，该接合引线包括：具有表面的芯，其中所述芯包含银作为主要成分并包含选自金、钯、铂、铑、钌、镍、铜和铱的至少一者，该接合引线的特征在于其具有下述特性中的至少一个：i）所述芯的晶粒的平均尺寸为0.8μm-3μm，ii）在所述引线的横截面中具有 方向的取向的晶粒的量的范围为10-20%，iii）在所述引线的横截面中具有 方向的取向的晶粒的量的范围为5-15%，以及iv）在所述引线的横截面中具有 方向的取向的晶粒和具有 方向的取向的晶粒的总量的范围为15-40%。(56)对比文件Suk Min Baeck etc.《.Texture Analysisof Copper Bonding Wire》《.MaterialsScience Forum》.2002,第408-412卷全文.F.WULFF etc.《.Crystallographictexture of drawn gold bonding wires usingelectron backscattered diffraction(EBSD)》《.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCELETTERS》.2003,第22卷全文.

公开(公告)号：CN106457383A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026546.7

申请日：2015-04-10

申请人： 阿尔法金属公司

发明人： S·戈沙尔 ,  N·K·查基 ,  P·S·罗伊 ,  S·萨卡尔 ,  A·拉斯托吉

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  B22F9/24

CPC分类号： H01L24/29 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0493 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0007 ,  B22F9/24

摘要： 一种烧结粉末，其包含：具有从100nm至50μm的平均最长尺寸的第一类型的金属颗粒。

公开(公告)号：CN103295993B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310223610.3

申请日：2013-06-06

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 天野裕之 ,  三上道孝 ,  冈崎纯一 ,  滨本拓也 ,  中岛伸一郎 ,  山下勉 ,  三苫修一 ,  小野甲介 ,  刘斌 ,  执行裕之

IPC分类号： H01L23/49 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004

摘要： 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。

公开(公告)号：CN105908002A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610254657.X

申请日：2016-04-22

申请人： 汕头市骏码凯撒有限公司

发明人： 周振基 ,  周博轩 ,  彭政展

IPC分类号： C22C5/02 ,  C22F1/14 ,  C22F1/02 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/48463 ,  H01L2224/48511 ,  C22C5/02 ,  C22F1/02 ,  C22F1/14 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01058

摘要： 一种金合金键合丝，其特征在于按重量计含有：钯1－1.5%，银20－24%，钙、铍和铈中的一种和其中多种的组合2－200 ppm，余量为金。本发明还提供上述金合金键合丝的一种制造方法。本发明的金合金键合丝可用于IC、LED封装中，综合打线性能优异，具体体现在：热影响区长度小（可达到53－60 um），极大地降低了打线的弧高；烧球性能好，在FAB烧球后得到数目适中的对称柱状晶，变形球真圆度高；封装后产品热冲击性能好，可靠性高。