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公开(公告)号：CN102569401B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201110415695.6
申请日：2011-12-07
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 吉持贤一
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/367
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L29/0657 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本申请提供一种在一个芯片内形成着晶体管及肖特基势垒二极管的构成中，能够确保晶体管的耐压并降低肖特基势垒二极管的顺向电压的半导体装置、以及用树脂包装覆盖半导体装置而成的半导体包装。半导体装置1包含半导体层22、形成在半导体层22上且构成晶体管11的晶体管区域D、及形成在半导体层22上且构成肖特基势垒二极管10的二极管区域C，且二极管区域C的半导体层22比晶体管区域D的半导体层22薄。
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公开(公告)号：CN105047597B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510142857.1
申请日：2010-06-12
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , Y10T428/2495 , Y10T428/31511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要： 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。
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公开(公告)号：CN104845546B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510166778.4
申请日：2010-12-24
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68377 , H01L2224/81201 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。
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公开(公告)号：CN102549749B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201080036733.0
申请日：2010-06-21
申请人： 乌利斯股份公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14618 , G01J5/045 , G01J5/0875 , H01L27/14649 , H01L27/14683 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10157 , H01L2924/10158 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 红外辐射微装置、所述装置的盖子和制备所述装置的方法，所述装置包括基底、盖子和红外辐射检测、发射或反射红外微单元，所述红外微单元置于由所述基底和所述盖子限定的空腔中，所述盖子包括抗反射表面纹理，以提高红外辐射透过率，其中在添加过程中在所述盖子的基底侧上和/或所述基底的盖子侧上形成的距离框架置于所述基底和所述盖子之间。
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公开(公告)号：CN103620753B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201280030395.9
申请日：2012-04-25
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , C11D7/265 , C11D11/0047 , H01L21/4835 , H01L23/3107 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83855 , H01L2224/8501 , H01L2224/85011 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/85
摘要： 处理半导体衬底以从其除去不想要的物质或为后续接合准备所述半导体衬底的表面的方法，其中所述衬底包含引线框，所述引线框包含管芯、接合焊盘、触头、和导线，所述方法包括将所述衬底与可用于所述方法的液体清洁组合物相接触的步骤。
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公开(公告)号：CN103219328B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310119417.5
申请日：2009-04-27
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3677 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589 , H01L2924/01019
摘要： 本申请涉及三维集成电路横向散热。通过用热传导材料（320）填充堆叠的IC装置的层（31、32）之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔（331）构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置（310）的散热。
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公开(公告)号：CN103026476B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201180033313.1
申请日：2011-06-23
申请人： 安美特德国有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498
CPC分类号： B23K31/02 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/11912 , H01L2224/13006 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01061 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 描述了一种在衬底上形成焊料合金沉积的方法，其包括下述步骤：i) 提供包括表面承载电路的衬底，所述表面承载电路包括至少一个内层接触焊盘，ii) 形成焊料掩模层，所述焊料掩模层被置于所述衬底表面上并且被图案化以暴露所述至少一个接触区域，iii) 使包括所述焊料掩模层和所述至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在所述衬底表面上提供金属种层的溶液相接触，iv) 在所述金属种层上形成结构化的抗蚀剂层，v) 将含有锡的第一焊料材料层电镀到所述导电层上，vi)将第二焊料材料层电镀到所述第一焊料材料层上，vii) 去除所述结构化的抗蚀剂层，并且蚀刻掉一定量的金属种层，其足以将所述金属种层从所述焊料掩模层区域去除，以及对所述衬底进行回流，并且在这样做时根据所述金属种层、第一焊料材料层和第二焊料材料层形成焊料合金沉积。
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公开(公告)号：CN102456584B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110364566.9
申请日：2011-11-02
申请人： 新科金朋有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/28 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/48 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/16225 , H01L2224/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3011 , H01L2224/19 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明涉及在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法。半导体器件具有形成在载体上的多个凸块。在凸点之间将半导体小片安装到载体上。将具有基层、第一粘合剂层以及第二粘合剂层的可穿透膜包封料层置于半导体小片和凸块上。将可穿透膜包封料层按压到半导体小片和凸块上以将半导体小片和凸块嵌入第一粘合剂层和第二粘合剂层之内。分离第一粘合剂层和第二粘合剂层以去除基层和第一粘合剂层并且将第二粘合剂层留在半导体小片和凸块周围。使凸块从第二粘合剂层中露出。将载体去除。在半导体小片和第二粘合剂层上形成互连结构。在第二粘合剂层上形成与凸块电气相连的导电层。
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公开(公告)号：CN103314651B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201180062276.7
申请日：2011-12-16
申请人： 安美特德国有限公司
IPC分类号： H05K3/24 , H01L23/498
CPC分类号： H05K13/04 , H01B1/02 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/03464 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05464 , H01L2224/05664 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48664 , H01L2224/48864 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2224/85464 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/20105 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H05K1/09 , H05K3/244 , H05K2203/049 , H05K2203/072 , H05K2203/095 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01005 , H01L2924/20752 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001
摘要： 本发明涉及将铜线键合到基板尤其是印刷电路板和IC基板上的方法，所述基板具有包括铜键合部分和钯或钯合金层的层组合件，还涉及具有键合到上述层组合件上的铜线的基板。
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公开(公告)号：CN103270590B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180061291.X
申请日：2011-10-20
申请人： 马维尔国际贸易有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L23/50 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的实施例提供一种芯片，该芯片包括形成在第一半导体管芯(104)之上的基部金属层(102)，以及形成在基部金属层之上的第一金属层(110)。第一金属层包括多个岛部(112)，该岛部(112)被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。芯片还包括形成在第一金属层之上的第二金属层(118)。第二金属层包括多个岛部(120)，该岛部(120)被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。
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