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公开(公告)号：CN119340240A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410914125.9
申请日：2024-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丸本洋
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够抑制多个液处理部之间的处理结果的偏差的基片处理装置中的流量调节方法和基片处理装置。流量调节方法包括释放步骤、测量步骤、生成步骤和调节步骤。释放步骤中，在第一液处理部和第二液处理部中以多个释放条件释放混合液。测量步骤中，使用温度传感器，按每个处理条件测量混合液的温度。生成步骤中，基于混合液的温度，针对第一液处理部和第二液处理部的每一者求取混合液的温度与释放条件中包含的硫酸的流量的相关函数，生成表示在第一液处理部与第二液处理部之间混合液的温度成为相同的情况下的硫酸的流量的关系的关系式。调节步骤中，使用关系式来在第二液处理部中调节去往混合液的混合前的硫酸的流量。
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公开(公告)号：CN108074840B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN108074844B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN116805598A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310269892.4
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丸本洋
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够高精度地获取罩体部件的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：检查用基片，其包括基体部和配置在基体部的拍摄部；能够保持基片或检查用基片的保持部；能够对保持部进行旋转驱动的驱动部；能够向被保持在保持部的基片供给处理液的处理液供给部；从外侧包围保持部的罩体部件；和控制部。控制部能够执行：第一处理，在检查用基片被保持在保持部的状态下，通过控制驱动部使保持部旋转，从而将拍摄部相对于罩体部件的位置调节至规定的第一拍摄位置；和第二处理，在第一处理之后，控制拍摄部，在第一拍摄位置对位于比基体部的外周缘靠罩体部件侧的空间的拍摄对象物进行拍摄。
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公开(公告)号：CN108538751B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230653B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201710135952.8
申请日：2017-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丸本洋
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制缺陷的产生并且能够使用干燥液来使基板表面干燥的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在对由基板保持部(31)保持着的旋转的基板(W)的表面供给处理液来进行处理的基板处理装置(16)中，干燥液供给喷嘴(411)向利用处理液进行处理后的旋转的基板的表面供给干燥液，移动机构(41、42、421)使干燥液在基板(W)上的着液点(PA)以从基板(W)的中心部朝向周缘部的朝向移动。控制部(18)进行控制，使得以着液点为基点形成的干燥液的流线中的距离(L)为预先设定的上限距离M以下，其中，该距离(L)是从上述着液点的中心至该干燥液的流线的靠基板的旋转中心侧的端部的距离。
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公开(公告)号：CN114242611A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111025262.X
申请日：2021-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丸本洋
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够对每个产品基板掌握液处理的结果是否良好。本公开的一个方式的基板处理方法包括进行液处理的工序、进行检测的工序、进行生成的工序以及进行判定的工序。在进行液处理的工序中，使用处理单元对基板进行液处理。在进行检测的工序中，使用设置于处理单元的多个传感器，来分别检测液处理中的基板的中心部的温度和基板的端部的温度。在进行生成的工序中，基于规定液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行检测的工序检测出的基板的中心部的温度以及基板的端部的温度，来生成表示液处理中的基板的面内温度分布的温度分布信息。在进行判定的工序中，基于温度分布信息来判定液处理的结果是否良好。
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公开(公告)号：CN108022861A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711066490.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , B01J3/008 , B01J3/06 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
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公开(公告)号：CN119604966A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380051495.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丸本洋
IPC: H01L21/306 , G01N21/956
Abstract: 本公开说明一种基板处理装置和膜厚估计方法，即使在存在干扰的环境下也能够高精度地估计在蚀刻处理过程中时刻地变化的膜厚。基板处理装置具备保持部、供给部、光传感器、以及控制部。控制部构成为执行以下处理：第一处理，对保持于保持部的基板的表面供给蚀刻液；第二处理，在向基板的表面供给蚀刻液的过程中，获取在光传感器中接收到的来自照射部位的反射光的强度的变化；第三处理，从表示在第二处理中获取到的反射光的强度的变化的强度变化数据中去除由于位于基板的上方的干扰诱发物的影响而产生的干扰成分，来生成校正数据；以及第四处理，基于校正数据来估计蚀刻处理中的膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN119446961A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410974324.9
申请日：2024-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丸本洋
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置的控制部基于处理前膜厚轮廓数据与处理后目标膜厚轮廓数据的差分来调节针阀的开度，向除基板以外的喷出目的地实施从喷嘴的药液的喷出，在该喷出结束后，使第一原料液和第二原料液以与针阀的开度相应的比率残留在液流路中的处于第一截止阀及第二截止阀与喷嘴之间的部分，在该喷出结束后，在由基板保持旋转部使基板旋转并且使喷嘴位于了基板的中心部的上方的状态下打开第一截止阀和第二截止阀，向基板的中央部供给残留在液体流路中的处于所述第一截止阀及第二截止阀与喷嘴之间的部分的第一原料液和第二原料液的混合液，由此开始进行蚀刻对象膜的蚀刻处理。
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