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公开(公告)号：CN119828991A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411367160.X
申请日：2024-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够容易地评价覆膜的边缘形状的显示装置、存储介质和显示方法。显示方法包括：基于对在正面形成有覆膜的基片的上述正面的周缘区域进行拍摄而得到的图像，针对绕上述基片的中心的多个周向位置所包含的每个周向位置，获取表示该周向位置与上述覆膜在上述基片的径向上的边缘位置之间的关系的边缘信息的步骤；基于上述边缘信息，将表示每个上述周向位置的上述边缘位置的曲线图显示于监视器的步骤；和在将上述曲线图显示于上述监视器之前，基于上述边缘信息中包含的上述边缘位置的统计信息，决定上述曲线图上的与上述边缘位置有关的显示范围的步骤。
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公开(公告)号：CN108028177B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201680053566.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN114127903A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050730.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
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公开(公告)号：CN108364886A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810074219.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/041 , B08B3/08 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/68764 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在利用去除液将作为基板的晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时抑制在涂布膜端部产生凸起(隆起)的涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质。在从去除液喷嘴(3)向通过旋转卡盘(11)而旋转的晶圆(W)的周缘部喷出去除液来去除涂布膜的周缘部的不需要的膜时，在使晶圆以2300rpm以上的第一转速进行旋转的状态下，使去除液的供给位置从周缘位置向比该周缘位置靠内方侧的切断位置移动。接着，在供给位置到达切断位置之后，使该供给位置在1秒以内从切断位置向晶圆的周缘侧移动。通过使晶圆以2300rpm以上这样大的转速进行旋转，来对晶圆表面的去除液的液流作用大的离心力，将去除液向晶圆的外侧推压。
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公开(公告)号：CN114631175A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076992.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 相机图像可以用于检测衬底边缘，并提供关于该衬底在流体分配系统内的定心的信息。相机图像还可以用于监测该流体分配系统内的杯形件的位置。所利用的信号处理技术可以包括数据平滑、仅分析反射能量的特定波长、变换数据(在一个实施例中利用傅立叶变换)、和/或分析所收集的数据像素的子集。本文收集的相机图像数据可以与各种各样的其他数据组合，以便更好地监测、表征和/或控制衬底加工工艺流程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113808970A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110636866.1
申请日：2021-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质。基片处理装置包括：周缘去除部，其去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分；分布获取部，其获取表示基片的周向上的位置与基片中被去除了覆膜的部分的宽度的关系的去除宽度分布；和原因推断部，其基于去除宽度分布，输出表示宽度的误差的原因的原因信息。
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公开(公告)号：CN102169812A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110035368.8
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够降低晶片面内的线宽的偏差、能够降低消耗电力的热处理装置和热处理方法。热处理装置(PEB)，在进行显影处理前对形成有抗蚀剂膜的曝光后的基板(W)进行热处理，其中包括：加热部(60)，其具有呈二维排列的多个加热元件(62)，对曝光后的基板(W)进行热处理；载置部(80)，其设置在加热部(60)上方，载置基板(W)；和控制部(110)，在利用加热部(60)对一个基板(W)进行热处理时，基于温度修正值(ΔT)对加热部(60)的设定温度进行修正，基于修正后的设定温度，对加热部(60)进行控制，该温度修正值(ΔT)是根据在预先由加热部(60)进行热处理后通过进行显影处理而形成有抗蚀剂图案的其他基板(W)的抗蚀剂图案的线宽测定值(CD)求得的。
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公开(公告)号：CN108364886B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201810074219.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在利用去除液将作为基板的晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时抑制在涂布膜端部产生凸起(隆起)的涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质。在从去除液喷嘴(3)向通过旋转卡盘(11)而旋转的晶圆(W)的周缘部喷出去除液来去除涂布膜的周缘部的不需要的膜时，在使晶圆以2300rpm以上的第一转速进行旋转的状态下，使去除液的供给位置从周缘位置向比该周缘位置靠内方侧的切断位置移动。接着，在供给位置到达切断位置之后，使该供给位置在1秒以内从切断位置向晶圆的周缘侧移动。通过使晶圆以2300rpm以上这样大的转速进行旋转，来对晶圆表面的去除液的液流作用大的离心力，将去除液向晶圆的外侧推压。
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公开(公告)号：CN116888720A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280016073.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种处理多个衬底的方法包括将衬底装载到涂布轨道上，将该衬底移动到该涂布轨道的模块中，进行对在该衬底上形成的膜进行改性的处理，以及在控制器处从光学传感器获得光学传感器数据。该光学传感器数据包括该膜的特性的测量值。该方法包括基于该膜的特性确定干燥度量，以及基于所确定的干燥度量调整该处理的处理参数。
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公开(公告)号：CN115315794A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180019949.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , G01J5/10 , G01J5/12
Abstract: 本文披露了用于监测衬底的、衬底工艺的和/或衬底加工模块部件的热特性的系统和方法的各种实施例。更具体地，本披露提供了衬底加工系统的各种衬底加工模块(例如，液体分配模块、烘烤模块或组合烘烤模块、接口块、晶圆检查系统(WIS)模块、电镀分配模块或另一加工模块)内的热成像传感器的各种实施例。通过将热成像传感器定位在衬底加工系统内的不同位置，本披露使得能够远程收集来自衬底表面的、分配到衬底表面上的液体的、衬底周围的加工空间的、或包括在衬底加工模块内的部件(例如，液体分配喷嘴、自旋吸盘、旋涂杯、冷却臂、WIS部件、加热部件等)的热数据。
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