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公开(公告)号：CN1197130C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01812248.5
申请日：2001-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/31116 , H01L22/20
Abstract: 本发明的运转监视方法，对预先成为基准的多个晶片(W)用检测器分别检测多个运转数据，用这些运转数据通过控制装置(10)进行主因素分析。而且，用由运转数据产生的主因素分析结果，评价等离子体处理装置(1)的运转状态。
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公开(公告)号：CN100520647C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710163059.2
申请日：2007-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/04 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及存储程序的存储介质，当对晶片进行连续地搬送处理时，在不降低生产能力的状态下，可以防止对晶片的无效搬送。在测定处理前的表面外形轮廓时，首先进行第一次前馈计算，从其结果得到的处理参数的值判断出在容许范围内的处理室。然后，仅对在容许范围内的处理室进行晶片的搬送，将晶片搬送至上述处理室的跟前，进行反映有上述处理室中的刚处理完成的处理的反馈计算结果的第二次前馈计算，根据该结果计算出的处理参数进行晶片的处理。由此在连续搬送处理被处理基板时，可以不导致生产能力的下降，并防止对被处理基板的无效搬送。
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公开(公告)号：CN1451174A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN01812248.5
申请日：2001-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/31116 , H01L22/20
Abstract: 本发明的运转监视方法，对预先成为基准的多个晶片(W)用检测器分别检测多个运转数据，用这些运转数据通过控制装置(10)进行主因素分析。而且，用由运转数据产生的主因素分析结果，评价等离子体处理装置(1)的运转状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1653598A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810355.9
申请日：2003-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: G05B13/048 , G05B23/0254 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的等离子体处理结果的预测方法，是比较以下两个残差：基于处理装置清洗前的第一标准处理的主分量分析模型而得到的残差和基于该处理装置清洗后的或另外的处理装置的第二标准处理的主分量分析模型而得到的残差，从而确定加权基准并据此构筑第二标准处理的主分量分析模型而预测处理结果。
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公开(公告)号：CN101165616A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710182350.4
申请日：2007-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂野真治
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32097 , G05B2219/32182 , G05B2219/32198 , G05B2219/37575 , G05B2219/37576 , G05B2219/45031 , H01L21/32135 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供将作为前馈控制时的控制值的目标值优化的基板处理装置的控制装置和控制方法。TL(800)对PM(400)进行前馈控制和反馈控制。存储部(850)存储有表示不同的处理顺序的多个工艺方案和作为蚀刻处理时的控制值的目标值。通信部(855)使IMM(600)测定晶片(W)的处理状态，并接收该测定信息。运算部(865)根据晶片(W)的处理前后的测定信息算出本次处理的晶片(W)的反馈值。更新部(870)根据反馈值更新目标值。工艺方案调整部(875)通过变更工艺方案而变更在同一PM(400)中执行的处理。处理执行控制部(880)在执行变更后的处理时，继续使用更新后的目标值对同一PM(400)的晶片(W)进行前馈控制。
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公开(公告)号：CN101158852A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163059.2
申请日：2007-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/04 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及存储程序的存储介质，当对晶片进行连续地搬送处理时，在不降低生产能力的状态下，可以防止对晶片的无效搬送。在测定处理前的表面外形轮廓时，首先进行第一次前馈计算，从其结果得到的处理参数的值判断出在容许范围内的处理室。然后，仅对在容许范围内的处理室进行晶片的搬送，将晶片搬送至上述处理室的跟前，进行反映有上述处理室中的刚处理完成的处理的反馈计算结果的第二次前馈计算，根据该结果计算出的处理参数进行晶片的处理。由此在连续搬送处理被处理基板时，可以不导致生产能力的下降，并防止对被处理基板的无效搬送。
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公开(公告)号：CN1653598B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN03810355.9
申请日：2003-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: G05B13/048 , G05B23/0254 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的等离子体处理结果的预测方法，是比较以下两个残差：基于处理装置清洗前的第一标准处理的主分量分析模型而得到的残差和基于该处理装置清洗后的或另外的处理装置的第二标准处理的主分量分析模型而得到的残差，从而确定加权基准并据此构筑第二标准处理的主分量分析模型而预测处理结果。
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公开(公告)号：CN100573373C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710182350.4
申请日：2007-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂野真治
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32097 , G05B2219/32182 , G05B2219/32198 , G05B2219/37575 , G05B2219/37576 , G05B2219/45031 , H01L21/32135 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供将作为前馈控制时的控制值的目标值优化的基板处理装置的控制装置和控制方法。TL(800)对PM(400)进行前馈控制和反馈控制。存储部(850)存储有表示不同的处理顺序的多个工艺方案和作为蚀刻处理时的控制值的目标值。通信部(855)使IMM(600)测定晶片(W)的处理状态，并接收该测定信息。运算部(865)根据晶片(W)的处理前后的测定信息算出本次处理的晶片(W)的反馈值。更新部(870)根据反馈值更新目标值。工艺方案调整部(875)通过变更工艺方案而变更在同一PM(400)中执行的处理。处理执行控制部(880)在执行变更后的处理时，继续使用更新后的目标值对同一PM(400)的晶片(W)进行前馈控制。
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