公开(公告)号：CN100495649C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200380109305.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 近藤英一 ,  V·韦津 ,  久保谦一 ,  暮石芳宪 ,  太田与洋

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76862

Abstract: 本发明的目的是在半导体装置的制造工序中，通过使用超临界状态的介质，可以在高纵横比的微细的图案上，形成Cu扩散防止膜并可以包埋Cu膜。本发明是解决了所述问题的一种基板处理方法，其特征在于，具有：将含有第一超临界状态介质的第一处理介质供给至被处理基板上，进行基板处理的第一工序；将包含第二超临界状态介质的第二处理介质供给至所述被处理基板上，由此在所述被处理基板上形成Cu扩散防止膜的第二工序；和将包含第三超临界状态的介质的第三处理介质，供给至所述被处理基板上，由此在所述被处理基板上形成Cu膜的第三工序。

公开(公告)号：CN100501939C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580034009.3

申请日：2005-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  太田与洋 ,  康松润 ,  泽田郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN1745193A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200380109304.1

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 近藤英一 ,  V·韦津 ,  久保谦一 ,  暮石芳宪 ,  太田与洋

IPC: C23C18/04 ,  C23C18/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C18/1865 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/12 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明的课题是，在形成了Cu扩散防止膜的微细图案上形成Cu膜的情况下，通过使用超临界状态介质的清洗方法，对被处理基板上的该Cu扩散防止膜表面进行清洗，再使用超临界状态的介质进行Cu膜的成膜，使得Cu膜与微细图案的密合性良好，而且无空隙。本发明使用基板处理方法解决了上述课题，该方法其特征在于，包括：将包含超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板，对被处理基板表面上包含金属的膜进行清洗的第一工序；和将包含上述超临界状态介质的第二处理介质供给上述被处理基板，进行Cu膜成膜的第二工序。

公开(公告)号：CN101036219A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034009.3

申请日：2005-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  太田与洋 ,  康松润 ,  泽田郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN1305119C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN1745459A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200380109305.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 近藤英一 ,  V·韦津 ,  久保谦一 ,  暮石芳宪 ,  太田与洋

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76862

Abstract: 本发明的目的是在半导体装置的制造工序中，通过使用超临界状态的介质，可以在高纵横比的微细的图案上，形成Cu扩散防止膜并可以包埋Cu膜。本发明是解决了所述问题的一种基板处理方法，其特征在于，具有：将含有第一超临界状态介质的第一处理介质供给至被处理基板上，进行基板处理的第一工序；将包含第二超临界状态介质的第二处理介质供给至所述被处理基板上，由此在所述被处理基板上形成Cu扩散防止膜的第二工序；和将包含第三超临界状态的介质的第三处理介质，供给至所述被处理基板上，由此在所述被处理基板上形成Cu膜的第三工序。

公开(公告)号：CN1545724A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。