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公开(公告)号：CN101615568B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910140027.X
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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公开(公告)号：CN101666980B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910171077.4
申请日：2009-09-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/16 , H01L21/3105
CPC分类号： B08B9/00 , H01L21/67057 , H01L21/6715
摘要： 本发明提供一种液处理中的喷嘴清洗、防止处理液干燥的方法和装置，能抑制液体处理装置大型化，提高喷嘴清洗效率并防止处理液干燥，包括：具有漏斗部的清洗室；向清洗室的漏斗部的上部侧供给溶剂的第二溶剂供给单元；喷嘴吸引单元；使喷嘴在清洗室与向基板喷出处理液的位置之间移动的移动单元；对第一和第二溶剂供给单元、吸引单元和移动单元进行控制的控制器。在喷嘴收容于清洗室内时，利用吸引单元使喷嘴内的处理液的液面后退，从第一溶剂供给单元向清洗室内供给溶剂，形成溶剂的涡流将喷嘴清洗，从第二溶剂供给单元向清洗室内供给，在清洗室内形成溶剂的积液，利用吸引单元吸引喷嘴，在喷嘴的前端内部形成处理液层、空气层和处理液的溶剂层。
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公开(公告)号：CN100576443C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580030224.6
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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公开(公告)号：CN114127903A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050730.6
申请日：2020-07-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
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公开(公告)号：CN101666980A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171077.4
申请日：2009-09-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/16 , H01L21/3105
CPC分类号： B08B9/00 , H01L21/67057 , H01L21/6715
摘要： 本发明提供一种液处理中的喷嘴清洗、防止处理液干燥的方法和装置，能抑制液体处理装置大型化，提高喷嘴清洗效率并防止处理液干燥，包括：具有漏斗部的清洗室；向清洗室的漏斗部的上部侧供给溶剂的第二溶剂供给单元；喷嘴吸引单元；使喷嘴在清洗室与向基板喷出处理液的位置之间移动的移动单元；对第一和第二溶剂供给单元、吸引单元和移动单元进行控制的控制器。在喷嘴收容于清洗室内时，利用吸引单元使喷嘴内的处理液的液面后退，从第一溶剂供给单元向清洗室内供给溶剂，形成溶剂的涡流将喷嘴清洗，从第二溶剂供给单元向清洗室内供给，在清洗室内形成溶剂的积液，利用吸引单元吸引喷嘴，在喷嘴的前端内部形成处理液层、空气层和处理液的溶剂层。
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公开(公告)号：CN101015040A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580030224.6
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出洗净液，该洗净液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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公开(公告)号：CN116097399A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180063042.8
申请日：2021-09-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 一种热处理装置，对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基板进行热处理，所述热处理装置具备：热板，其用于支承所述基板并对所述基板进行加热；以及腔室，其收容所述热板，其中，所述腔室具有顶部，在所述顶部的下方形成有用于进行所述热处理的处理空间，所述顶部与所述热板上的所述基板相向，所述热处理装置还具备：气体喷出部，其设置于所述顶部，用于从上方朝向所述热板上的所述基板喷出处理用气体；气体供给部，其从所述热板上的所述基板的侧方且所述处理空间的下部朝向所述热板上的所述基板供给气体；中央排气部，其从所述顶部中的、在俯视时靠所述热板上的所述基板的中央的位置对所述腔室内的所述处理空间内进行排气；周缘排气部，其从所述顶部中的、在俯视时相比于所述中央排气部靠所述热板上的所述基板的周缘部侧的位置对所述处理空间内进行排气；以及控制部，其中，所述控制部在所述热处理过程中进行控制，使得持续地进行利用所述气体喷出部进行的喷出、利用所述气体供给部进行的气体的供给以及利用所述周缘排气部进行的排气，并且从所述热处理的中途起使得利用所述中央排气部进行的排气加强。
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公开(公告)号：CN115312422A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210439545.7
申请日：2022-04-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质，其能够抑制基片的膜厚测量结果的偏差。基片处理装置对要由膜厚测量装置测量的基片进行处理，其包括：加热处理部，其对涂敷有涂敷膜的基片进行加热处理；和流体供给部，其对由上述加热处理部处理中或处理后的基片供给流体，其中，上述流体能够抑制至由上述膜厚测量装置进行膜厚测量为止的测量时间的差异引起的膜厚的偏差。
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公开(公告)号：CN101615568A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910140027.X
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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