-
公开(公告)号：CN101615568A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910140027.X
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
-
公开(公告)号：CN101615568B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910140027.X
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
-
公开(公告)号：CN105074883B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480009698.1
申请日：2014-01-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/31 , H01L21/321 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02348 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05C11/1015 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26
摘要： 本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。
-
公开(公告)号：CN101521153B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910119113.2
申请日：2009-03-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/004 , G03F7/30
摘要： 本发明提供一种不产生图案走样而使抗蚀剂图案细化的半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统，半导体装置的制造方法包括：在底层上(1)形成抗蚀剂层(3)的工序；在抗蚀剂层(3)上得到由可溶层(3a)和不溶层(3b)的图案构成的曝光图案的工序；从形成有曝光图案的抗蚀剂层(3)上除去可溶层(3a)而形成抗蚀剂图案(3c)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去中间曝光区域(3d)的工序；将产生可溶化抗蚀剂图案(3c)的可溶化物质的反应物质导入到除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)上，在除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)表面上形成新的可溶层(3e)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去新的可溶层(3e)的工序。
-
公开(公告)号：CN101521153A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910119113.2
申请日：2009-03-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/004 , G03F7/30
摘要： 本发明提供一种不产生图案走样而使抗蚀剂图案细化的半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统，半导体装置的制造方法包括：在底层上(1)形成抗蚀剂层(3)的工序；在抗蚀剂层(3)上得到由可溶层(3a)和不溶层(3b)的图案构成的曝光图案的工序；从形成有曝光图案的抗蚀剂层(3)上除去可溶层(3a)而形成抗蚀剂图案(3c)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去中间曝光区域(3d)的工序；将产生可溶化抗蚀剂图案(3c)的可溶化物质的反应物质导入到除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)上，在除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)表面上形成新的可溶层(3e)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去新的可溶层(3e)的工序。
-
公开(公告)号：CN101015040A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580030224.6
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出洗净液，该洗净液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
-
公开(公告)号：CN105074883A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009698.1
申请日：2014-01-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/31 , H01L21/321 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02348 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05C11/1015 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26
摘要： 本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。
-
公开(公告)号：CN102630335B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180004647.6
申请日：2011-05-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 岩尾文子
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139
摘要： 半导体装置的制造方法包括：在基板(11)上形成抗蚀剂层(13)的工序；对抗蚀剂层进行曝光、显影来形成抗蚀剂图案的工序；细化抗蚀剂图案的细化工序；在细化了的抗蚀剂图案的侧壁部形成掩模材料层的工序；以及去除细化了的抗蚀剂图案的工序，细化工序包括：在基板上涂布膨胀剂(14)的涂布工序(c)；使膨胀剂膨胀的工序(d)；以及去除膨胀了的膨胀剂的工序(f)。
-
公开(公告)号：CN102630335A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201180004647.6
申请日：2011-05-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 岩尾文子
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139
摘要： 半导体装置的制造方法包括：在基板(11)上形成抗蚀剂层(13)的工序；对抗蚀剂层进行曝光、显影来形成抗蚀剂图案的工序；细化抗蚀剂图案的细化工序；在细化了的抗蚀剂图案的侧壁部形成掩模材料层的工序；以及去除细化了的抗蚀剂图案的工序，细化工序包括：在基板上涂布膨胀剂(14)的涂布工序(c)；使膨胀剂膨胀的工序(d)；以及去除膨胀了的膨胀剂的工序(f)。
-
公开(公告)号：CN100576443C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580030224.6
申请日：2005-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
摘要： 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.032 秒)
